Hiden TOF-qSIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀設(shè)計用于多種材料的表面分析和深度剖析應用，包括聚合物,，藥物,，超導體，半導體,，合金,，光學和功能涂層以及電介質(zhì)，檢測限低于1ppm,。

TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時間質(zhì)譜,。

四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析，低入射能力,，高入射電流,，濺射和分析連續(xù)進行，是典型的Dynamic SIMS 動態(tài)SIMS,。

飛行時間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時間質(zhì)譜,，質(zhì)量數(shù)范圍寬，質(zhì)量分辨率高,，且測量速度快（瞬間得到全譜）,。離子槍僅需要一次脈沖濺射,，即可得到全譜，對表面幾乎無破壞作用,。因脈沖模式分析,，且電流小，所以產(chǎn)生的二次離子比率相對少,，靈敏度相比動態(tài)SIMS弱,，但成像和表面分析能力強，是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS,。

TOF-qSIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點,，可以分析所有的導體、半導體,、絕緣材料,；對硅、高k,、硅鍺以及III-V族化合物等復合材料的薄層提供超淺深度剖析,、痕量元素和組分測量等一系列擴展功能。對于材料/產(chǎn)品表面成分及分布,，表面添加組分,、雜質(zhì)組分、表面多層結(jié)構(gòu)/鍍膜成分,、表面異物殘留（污染物,、顆粒物、腐蝕物等）,、表面痕量摻雜,、表面改性、表面缺陷（劃痕,、凸起）等有很好的表征能力,。

一臺SIMS同時提供四極桿質(zhì)譜和飛行時間質(zhì)譜：

靜態(tài)SIMS  Static SIMS

動態(tài)SIMS  Dynamic SIMS

Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍

樣品 3D成像分析

檢測限低于ppm

SNMS 離子源，二次中性粒子譜

二次離子質(zhì)譜成像軟件,，靜態(tài)二次離子質(zhì)譜圖庫,，二次離子質(zhì)譜后處理軟件