Hiden TOF-qSIMS 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜工作站設(shè)計(jì)用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用,,包括聚合物,,藥物,超導(dǎo)體,,半導(dǎo)體,,合金,光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì),,檢測限低于1ppm,。
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀特點(diǎn):
1、高靈敏度脈沖離子計(jì)數(shù)檢測器,,7個(gè)數(shù)量級(jí)的動(dòng)態(tài)范圍
2,、SIMS 成像,分辨率在微米以下
3,、光柵控制,,增強(qiáng)深度分析能力
4、45°靜電扇形分析器, 掃描能量增量 0.05 eV/ 0.25eV FWHM.
5,、所有能量范圍內(nèi),,離子行程的zui小擾動(dòng),及恒定離子傳輸
6,、差式泵3級(jí)過濾四極桿,,質(zhì)量數(shù)范圍至2500amu
7、靈敏度高 / 穩(wěn)定的脈沖離子計(jì)數(shù)檢測器
8,、Penning規(guī)和互鎖裝置可提供過壓保護(hù)
9,、通過RS232、RS485或Ethernet LAN,,軟件 MASsoft控制
TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜,。
四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析,低入射能力,,高入射電流,,濺射和分析連續(xù)進(jìn)行,是典型的Dynamic SIMS 動(dòng)態(tài)SIMS,。
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時(shí)間質(zhì)譜,,質(zhì)量數(shù)范圍寬,質(zhì)量分辨率高,且測量速度快(瞬間得到全譜),。離子槍僅需要一次脈沖濺射,,即可得到全譜,對(duì)表面幾乎無破壞作用,。因脈沖模式分析,,且電流小,所以產(chǎn)生的二次離子比率相對(duì)少,,靈敏度相比動(dòng)態(tài)SIMS弱,,但成像和表面分析能力強(qiáng),是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS,。
TOF-qSIMS workstation 綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點(diǎn),,可以分析所有的導(dǎo)體、半導(dǎo)體,、絕緣材料;對(duì)硅,、高k,、硅鍺以及III-V族化合物等復(fù)合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測量等一系列擴(kuò)展功能,。對(duì)于材料/產(chǎn)品表面成分及分布,,表面添加組分、雜質(zhì)組分,、表面多層結(jié)構(gòu)/鍍膜成分,、表面異物殘留(污染物、顆粒物,、腐蝕物等),、表面痕量摻雜、表面改性,、表面缺陷(劃痕,、凸起)等有很好的表征能力。
應(yīng)用:
1,、靜態(tài) /動(dòng)態(tài)SIMS
2,、一般目的的表面分析
3、整體的前端離子源,,便于RGA和 SNMS
4,、兼容的離子槍/ FAB 槍
5、成分/污染物分析
6,、深度分析
7,、泄漏檢測
8、與Hiden SIMS 工作站兼容