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儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器,。
    儀器采用了電子技術(shù)進行設(shè)計,、裝配。具有功能選擇直觀,、測量取數(shù)快,、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好,、結(jié)構(gòu)緊湊,、易操作等特點

測量范圍

電阻率：10^-5～10⁵ Ω.cm(可擴展)；  
 方塊電阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可擴展),； 
 電導(dǎo)率：10^-5～10⁵ s/cm,； 
 電阻：10^-5～10⁵ Ω； 

恒流源電流量程分為1μA,、10μA,、100μA、1mA,、10mA,、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表

量程及表示形式：000.00～199.99mV,；　　　　
 分辨力：10μV,；
 輸入阻抗：>1000MΩ；
 精度：±0.1% ,；
 顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示,；極性、超量程自動顯示,；

基本指標(biāo)

間距：1±0.01mm,；
 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 
 機械游移率：≤0.3%,；
 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm,；
 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；