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目錄:愛發(fā)科費恩斯(南京)儀器有限公司>>X射線光電子能譜儀>>AES>> PHI 710掃描俄歇納米探針

掃描俄歇納米探針
  • 掃描俄歇納米探針
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
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具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 PHI 710
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
屬性

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更新時間:2022-03-07 11:11:44瀏覽次數(shù):897評價

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產(chǎn)地類別 進口 價格區(qū)間 面議
應用領(lǐng)域 化工,地礦,能源,電子/電池,綜合
PHI 710掃描俄歇納米探針是一臺設計*的高性能的俄歇電子能譜(AES)儀器,。該設備能分析納米級特征區(qū)域,超薄薄膜和多層結(jié)構(gòu)材料表界面的元素態(tài)和化學態(tài)信息。作為高空間分辨率,高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀,, PHI 710可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求,。

特點

SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm

在俄歇能譜的采集分析過程中,,包括譜圖,,深度剖析及元素分布成像,,首先需要在SEM圖像上定義樣品分析區(qū)域,同時要求束斑直徑小且穩(wěn)定,。PHI 710 SEM圖像的空間分辨率小于3 nm,,AES的空間分辨率小于8 nm(@ 20 kV, 1 nA),,如下圖所示,。

1.png

圖1 Si基底上的Au的SEM圖像,PHI 710 SEM圖像的空間分辨率小于3 nm

圖2鑄鐵韌性斷裂的界面分析,,左邊是SEM圖像,,中間是鈣,鎂,,鈦的俄歇成像譜圖疊加,,右邊則是硫的俄歇成像,這充分證明了PHI 710在納米級的尺度下的化學態(tài)的分析能力,。 

 

同軸筒鏡分析器(CMA

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PHI 公司電子槍和同軸筒鏡分析器同軸的幾何設計,,具有靈敏度高和各個角度均可收集信號的特點,滿足了表面粗糙不平整樣品對俄歇分析全面表征能力的需求,。如上圖所示,,所有俄歇的數(shù)據(jù)都是從顆粒的各個方向收集而來,成像沒有陰影,。若設備配備的不是同軸分析器,,則儀器的靈敏度會降低,并且成像有陰影,一些分析區(qū)域會由于位置的原因,,而無法分析,。如果想要得到高靈敏度,只能分析正對著分析器的區(qū)域,。如下圖所示,,若需要對顆粒的背面,顆粒與顆粒之間的區(qū)域分析,,圖像會有陰影,。

俄歇能譜儀的化學態(tài)成像

圖譜成像

PHI 710能從俄歇成像分析的每個像素點中提取出譜圖的相關(guān)信息,該功能可以實現(xiàn)化學態(tài)成像,。

 

高能量分辨率俄歇成分像

下圖是半導體芯片測試分析,,測試的元素是Si。通過對Si的俄歇影像進行線性最小二乘法擬合(LLS),,俄歇譜圖很清楚的反映出了三個Si的不同化學態(tài)的區(qū)域,,分別是:單質(zhì)硅,氮氧化硅和金屬硅,,并且可以從中分別提取出對應的Si的俄歇譜圖,,如最下方三張圖所示。

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納米級的薄膜分析

如下圖SEM圖像中所示,,以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷,,這是由于退火后,在界面處形成了硅鎳化合物,。分別在缺陷區(qū)域和正常區(qū)域設置了一個分析點,,分析條件為高能量分辨率模式下(0.1%),電子束直徑20 nm,,離子槍采用0.5 kV設定,,如下圖所示,在MultiPak軟件中,,采取最小二乘擬合法用于區(qū)分金屬鎳和硅鎳化合物,,同樣區(qū)分金屬硅和硅化物??梢钥闯?,硅鎳化合物僅存在于界面處,而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在,。但是,,在鎳涂層的缺陷處,發(fā)現(xiàn)了硅鎳化合物,。    

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PHI SmartSoft-AES用戶界面 

PHI SmartSoft是一個方便使用的儀器操作軟件,。軟件通過任務導向和卷標橫跨頂部的顯示指導用戶輸入樣品,,定義分析點,并設定分析,。一個強大的“自動Z軸定位"功能可定義多個分析點并達到最.理想的樣品分析定位,。簡潔明了的界面設計以及軟件功能設置能夠讓操作者快速上手,方便設置,,保存和調(diào)取分析參數(shù),。

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PHI MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件

MultiPak軟件擁有*的俄歇能譜數(shù)據(jù)庫。采譜分析,,線掃描分析,,成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用MultiPak來處理。它強大的功能包括峰的定位,,化學態(tài)信息及檢測限的提取,,定量測試和圖像的增強等。

8.png

選配件

  • 真空室內(nèi)原位樣品放置臺

  • 原位斷裂

  • 真空傳送管

  • 預抽室導航相機

  • 電子能量色散探測器(EDS)

  • 電子背散射衍射探測器(EBSD)

  • 背散射電子探測器(BSE)

  • 聚焦離子束(FIB)

 

應用領(lǐng)域

  • 半導體組件: 缺陷分析,、刻蝕/清潔殘余物分析,、短路問題分析、接觸污染物分析,、接口擴散現(xiàn)象分析,、封裝問題分析等、FIB組件分析

  • 顯示器組件: 缺陷分析,、刻蝕/清潔殘余物分析,、短路問題分析、接觸污染物分析,、接口擴散現(xiàn)象分析等

  • 磁性儲存組件: 定義層,、表面元素、接口擴散分析,、孔洞缺陷分析,、表面污染物分析,、磁頭缺陷分析,、殘余物分析等

  • 玻璃及陶瓷材料: 表面沉積物分析、清潔污染物分析,、晶界分析等


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