目錄:北京瑞科中儀科技有限公司>>沉積系統(tǒng)>>原子層沉積設(shè)備>> SENTECH二維材料刻蝕
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更新時(shí)間：2024-07-10 08:29:28瀏覽次數(shù)：1036評(píng)價(jià)
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SENTECH二維材料刻蝕的優(yōu)勢：
用于敏感襯底的PEALD：
真遠(yuǎn)程等離子體源能夠在低溫<100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。
用于工藝研發(fā)和改善的實(shí)時(shí)監(jiān)測：
ALD實(shí)時(shí)監(jiān)視儀RTM的原位診斷實(shí)現(xiàn)了單一ALD循環(huán)的超高分辨率。優(yōu)點(diǎn)是確認(rèn)ALD范圍,，減少處理時(shí)間和總生產(chǎn)成本。采用橢偏光譜,、QCM和QMS進(jìn)行原位診斷,，也是我們原子層沉積設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)。
簡易的腔體清洗：
定期反應(yīng)腔體清洗對(duì)于穩(wěn)定和可重復(fù)的原子層沉積工藝是的,。借助于用于清洗原子層沉積系統(tǒng)的升降裝置,，可以容易地打開反應(yīng)腔體。
集成手套箱：
SENTECH原子層沉積設(shè)備與各種供應(yīng)商的手套箱兼容,。
多腔集成：
原子層沉積設(shè)備可作為SENTECH多腔系統(tǒng)的一個(gè)模塊,。我們的原子層沉積設(shè)備可以與SENTECH PECVD和蝕刻設(shè)備結(jié)合用于工業(yè)應(yīng)用?？蛇x的多腔系統(tǒng)也具備片盒到片盒裝片的特點(diǎn),。
SENTECH二維材料刻蝕實(shí)現(xiàn)了熱ALD和等離子體增強(qiáng)ALD操作。ALD設(shè)備可以配置為用于氧化物,、氮化物和金屬沉積,。三維結(jié)構(gòu)具有出色的均勻性和保行性。利用ALD,、PECVD和ICPECVD,，SENTECH提供等離子體沉積技術(shù)，用于從納米尺度沉積到數(shù)微米的薄膜沉積,。
SENTECH ALD設(shè)備實(shí)現(xiàn)了熱ALD和等離子體增強(qiáng)ALD膜交替沉積多層結(jié)構(gòu),。熱ALD和等離子體增強(qiáng)ALD可在同一個(gè)反應(yīng)腔體中用快門來切換。
SENTECH提供了前沿的快速原位監(jiān)測技術(shù),，實(shí)時(shí)監(jiān)測和廣泛范圍的光譜橢偏儀可逐層監(jiān)測薄膜生長,。
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