日本武藏底部填充點(diǎn)膠機(jī)FAD5100S成都供應(yīng)

日本武藏底部填充點(diǎn)膠機(jī)FAD5100S成都供應(yīng)

產(chǎn)品定位與技術(shù)革新

FAD5100S是武藏面向先進(jìn)封裝推出的第五代智能點(diǎn)膠平臺(tái),，通過(guò)ISO 14644-1 Class 5級(jí)潔凈設(shè)計(jì),，滿(mǎn)足12英寸晶圓級(jí)封裝需求。其突破性的雙線(xiàn)性電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)（0.1μm分辨率）配合μ級(jí)視覺(jué)定位,，實(shí)現(xiàn)±3μm@3σ的涂布精度,，較上代機(jī)型提升60%。

核心技術(shù)創(chuàng)新

1. 多物理場(chǎng)協(xié)同控制

• 集成激光干涉儀+紅外熱像儀,，實(shí)時(shí)補(bǔ)償基板形變（≤75μm）與溫度梯度（±2℃）

• 其擁有的葉線(xiàn)涂布算法（MCD 4.0）,，在50μm間距凸點(diǎn)填充中實(shí)現(xiàn)無(wú)缺陷

2. 智能工藝管理系統(tǒng)

• 內(nèi)置200+種材料數(shù)據(jù)庫(kù)，自動(dòng)匹配壓力曲線(xiàn)（0.001-1.2MPa）

• 通過(guò)SECS/GEM協(xié)議實(shí)現(xiàn)與AMHS系統(tǒng)的無(wú)縫對(duì)接

3. 工業(yè)4.0就緒架構(gòu)

• 配備預(yù)測(cè)性維護(hù)模塊（PHM）,，關(guān)鍵部件MTBF提升至15,000小時(shí)

• 支持?jǐn)?shù)字孿生調(diào)試,，換線(xiàn)時(shí)間壓縮至8分鐘

典型應(yīng)用表現(xiàn)

• 3D IC封裝：完成10:1深寬比TSV通孔填充，每小時(shí)處理量達(dá)1,200芯片

• 汽車(chē)電子：在A(yíng)DAS雷達(dá)模組中實(shí)現(xiàn)99.97%的良率（AEC-Q100 Grade 1）

• Micro LED：50μm pitch巨量轉(zhuǎn)移良率突破99.5%

技術(shù)參數(shù)對(duì)比

指標(biāo)本機(jī)型行業(yè)基準(zhǔn)最小點(diǎn)膠量0.2pL0.5pL重復(fù)精度±1.5μm±5μm稼動(dòng)率≥98%90-95%