硅片晶圓清洗設(shè)備 芯矽科技
參考價(jià) | ¥ 10000 |
訂貨量 | ≥1臺(tái) |
- 公司名稱 蘇州芯矽電子科技有限公司
- 品牌 芯矽科技
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 蘇州市工業(yè)園區(qū)江浦路41號(hào)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/6/16 15:55:35
- 訪問次數(shù) 10
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非標(biāo)定制 | 根據(jù)客戶需求定制 |
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硅片晶圓清洗設(shè)備是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝設(shè)備,,用于去除晶圓表面的微粒、有機(jī)物,、金屬污染及氧化層,,確保光刻、蝕刻,、沉積等后續(xù)制程的良率與穩(wěn)定性,。以下是關(guān)于該設(shè)備的詳細(xì)技術(shù)解析與應(yīng)用場(chǎng)景說明:
一、核心技術(shù)與工藝原理
物理清洗技術(shù)
超聲波清洗:通過高頻(20-80kHz)聲波振動(dòng)產(chǎn)生空化效應(yīng),,剝離晶圓表面>0.1μm的顆粒及光刻膠殘留,,適用于槽式批量處理。
兆聲波(MegaSonic)清洗:采用>800kHz高頻聲波,,精準(zhǔn)清除亞微米顆粒(<0.1μm),,減少對(duì)晶圓邊緣的損傷,適配12寸大尺寸晶圓,。
刷洗(Scrubbing):聚酰胺或PVA軟毛刷配合化學(xué)液,,定向清除晶圓邊緣污染物,常用于單片清洗機(jī)(如DNS或Screen設(shè)備),。
化學(xué)清洗技術(shù)
SC-1液(NH?OH + H?O?):去除有機(jī)物及顆粒,,溫度60-80℃,;
SC-2液(HCl + H?O?):腐蝕金屬氧化層(如Al、Cu),,溫度50-70℃,;
DHF液(稀HF):去除原生氧化層,防止界面缺陷,。
RCA標(biāo)準(zhǔn)工藝:
定制化配方:針對(duì)制程需求,,開發(fā)無氟(F-free)或低堿性清洗液,減少對(duì)High-K介質(zhì)的侵蝕,。
干燥技術(shù)
旋干法(Spin Dry):高速旋轉(zhuǎn)(2000-5000rpm)甩干水分,,適用于單片處理,但易產(chǎn)生靜電吸附顆粒,。
真空干燥(Vacuum Dry):腔體抽真空至<10Pa,,結(jié)合低溫加熱(<100℃),避免水漬殘留,,適用于敏感材料(如EUV光罩),。
IPA(異丙醇)替代干燥:漂洗使用IPA并快速排空,減少水痕,,但需配套防爆設(shè)計(jì),。
二、設(shè)備類型與功能特點(diǎn)
單片清洗機(jī)(Single Wafer Cleaner)
單片獨(dú)立處理,,避免交叉污染,;
支持多工藝模塊組合(如刷洗+兆聲波+化學(xué)噴淋);
自動(dòng)邊緣排斥(ERCE)技術(shù),,防止邊緣過度腐蝕,。
適用場(chǎng)景:制程(28nm以下)對(duì)污染物控制要求嚴(yán)苛的場(chǎng)合。
槽式清洗機(jī)(Batch Slot Cleaner)
多片同時(shí)處理(通常25-100片/槽),,提升通量;
兼容RCA標(biāo)準(zhǔn)工藝,,適合去除重污染,;
自動(dòng)化機(jī)械臂實(shí)現(xiàn)上下料與槽間傳輸。
適用場(chǎng)景:成熟制程(如65nm以上)或小尺寸晶圓(≤8寸)的批量清洗,,成本較低,。
核心優(yōu)勢(shì):
局限性:易受顆粒二次污染,需頻繁更換清洗液,。
全自動(dòng)清洗線(Automated Cleaning Line)
在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)(如激光顆粒計(jì)數(shù)器,、橢偏儀)實(shí)時(shí)反饋潔凈度;
封閉式反應(yīng)腔體與廢液回收系統(tǒng),,符合環(huán)保規(guī)范,;
支持MES系統(tǒng)對(duì)接,,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)追溯與工藝參數(shù)優(yōu)化。
集成功能:預(yù)清洗→化學(xué)腐蝕→超聲/兆聲波處理→純水沖洗→干燥→潔凈度檢測(cè),,全程自動(dòng)化,。
三、行業(yè)應(yīng)用與關(guān)鍵指標(biāo)
應(yīng)用領(lǐng)域
前道制程:光刻前后清洗(去除光刻膠殘留),、蝕刻后清潔(去除聚合物),、CVD/PVD前表面預(yù)處理。
后道封裝:芯片背面減薄前清洗,、焊盤氧化物去除,、TGV(玻璃通孔)結(jié)構(gòu)清潔。
特殊場(chǎng)景:EUV光罩修復(fù)清洗,、HBM(高帶寬內(nèi)存)疊層對(duì)位清潔,。
核心性能指標(biāo)
潔凈度:顆粒去除率>99.9%(≥0.1μm),金屬污染<1×10? atoms/cm2,;
產(chǎn)能:?jiǎn)纹瑱C(jī)每小時(shí)處理120-180片(12寸),,槽式機(jī)每批次25分鐘;
兼容性:支持6-12寸晶圓,,適應(yīng)不同厚度(150-775μm)與材質(zhì)(Si,、SiC、GaAs),。
良率提升:可將光刻缺陷率降低至<0.1ppm,,顯著提升芯片可靠性。