SuperViewW白光干涉晶圓3D形貌測量儀可測各類從超光滑到粗糙,、低反射率到高反射率的物體表面,，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度,、微觀幾何輪廓,、曲率等。SuperViewW具有測量精度高,、操作便捷,、功能齊全、測量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點,，測量單個精細器件的過程用時短,，確保了高款率檢測。白光干涉儀的特殊光源模式,，可以廣泛適用于從光滑到粗糙等各種精細器件表面的測量,。

產品特點

1、干涉物鏡

不通倍率的鏡頭,，適應于從超光滑到粗糙度各種表面類型的樣品,。

2、雙通道氣浮隔振系統(tǒng)

外接氣源和加壓裝置直接充氣的雙通道氣浮隔振系統(tǒng),，可有效隔離地面?zhèn)鲗У恼駝釉肼暋?/p>

3,、聲波隔振防護

儀器外殼與內部運動機構采用了分離式設計，有效隔離了聲波振動的傳導,。

4,、水平調整裝置

傾斜調整旋鈕，調整條紋寬度,，提高3D圖像的重建精度,。

5、便攜式操縱桿

采用人體工程學設計,，集成了XYZ三軸位移和速度,、光源亮度的自動控制，并配有緊急停止按鈕,。

6,、真空吸附臺

專為半導體晶圓片定制的真空吸附臺，確保樣品在測量過程中不受空氣中微弱氣流擾動的影像,。

7,、3D重建算法

自動濾除樣品表面噪點，在硬件系統(tǒng)的配合下,，測量精度可達亞納米級別,。

自研3D顯微測量軟件平臺Xtremevision Pro

Xtremevision Pro

全自主開發(fā)的第二代顯微3D測量軟件平臺，集成了圖像掃描,、3D分析,、影像測量、自動化測量等四個大的功能模塊,，能夠適配中圖W系列,、VT系列、WT系列所有3D儀器機型,，可自主識別機型種類,，二合一機型可在白光干涉和共聚焦顯微鏡中做到自動切換掃描模式。

Xtremevision Pro 移植了中圖在影像閃測領域的成功經驗,，重構了顯微影像測量功能,，可針對微觀平面輪廓尺寸的點、線間的距離,、角度,、半徑等參數(shù)進行直接測量和自動匹配測量。

自動化mark點識別坐標定位自動化功能

Mark點影像識別自動坐標位置校正,，多區(qū)域坐標點自動定位測量與分析,，可組合式完成粗糙度、輪廓尺寸的批量自動化測量,。

自動拼接功能

支持方形,、圓形、環(huán)形和螺旋形式的自動拼接測量功能,，配合影像導航功能,，可自定義測量區(qū)域，支持數(shù)千張圖像的無縫拼接測量,。

SuperViewW白光干涉晶圓3D形貌測量儀具有的測量晶圓翹曲度功能,，非常適合晶圓，太陽能電池和玻璃面板的翹曲度測量,，應變測量以及表面形貌測量,。如針對芯片封裝測試流程的測量需求，SuperViewW1的X/Y方向標準行程為140*100mm,，滿足減薄后晶圓表面大范圍多區(qū)域的粗糙度自動化檢測,、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺階高等微納米級別精度的測量,。而SuperViewW1-Pro 型號增大了測量范圍,，可覆蓋8英寸及以下晶圓，定制版真空吸附盤,，穩(wěn)定固定Wafer,；氣浮隔振+殼體分離式設計,，隔離地面震動與噪聲干擾。

晶圓應用案例

硅晶圓的粗糙度檢測

在半導體產業(yè)中,，硅晶圓的制備質量直接關系著晶圓IC芯片的制造質量,，而硅晶圓的制備，要經過十數(shù)道工序,，才能將一根硅棒制成一片片光滑如鏡面的拋光硅晶圓,，如下圖所示，提取表面一區(qū)域進行掃描成像,。

如圖,，制備好的拋光硅晶圓表面輪廓起伏已在數(shù)納米以內，其表面粗糙度在0.5nm左右,，由于其粗糙度精度已到亞納米量級,，而在此量級上，接觸式輪廓儀和一般的非接觸式儀器均無法滿足檢測要求,，只有結合了光學干涉原理和精密掃描模塊的光學3D表面輪廓儀才適用,。

晶圓IC的輪廓檢測

晶圓IC的制造過程可簡單看作是將光罩上的電路圖通過UV蝕刻到鍍膜和感光層后的硅晶圓上這一過程，其中由于光罩中電路結構尺寸小,，任何微小的粘附異物和瑕疵均會導致制造的晶圓IC表面存在缺陷,，因此必須對光罩和晶圓IC的表面輪廓進行檢測。如圖是一塊蝕刻后的晶圓IC,，使用光學3D表面輪廓儀對其中一個微結構掃描還原3D圖像,，并測量其輪廓尺寸。

晶圓IC減薄后的粗糙度檢測

在硅晶圓的蝕刻完成后,，根據(jù)不同的應用需求,，需要對制備好的晶圓IC的背面進行不同程度的減薄處理，在這個過程中,，需要對減薄后的晶圓IC背面的表面粗糙度進行監(jiān)控以滿足后續(xù)的應用要求,。在減薄工序中，晶圓IC的背面要經過粗磨和細磨兩道磨削工序,，下圖是粗磨后的晶圓IC背面,，選取其中區(qū)域進行成像分析。

如圖,，粗磨后的表面存在明顯的磨削紋路,，而3D圖像顯示在左下部分存在一處凹坑瑕疵，沿垂直紋理方向提取剖面輪廓并經過該瑕疵,，在剖面輪廓曲線里可看到該處瑕疵zui大起伏在2.4um左右,，而磨削紋理起伏zui大在1um范圍內波動，并獲取該區(qū)域的面粗糙度Sa為216nm,，剖面線的粗糙度Ra為241nm,。

而在經過細磨后,，晶圓IC背面的磨削紋理已基本看不出，選取表面區(qū)域進行成像分析,。

如圖可知,，在經過細磨之后，晶圓IC背面的磨削紋理輪廓起伏已經降到36nm附近,，其表面粗糙度也已經從200多nm直降到6nm左右。

部分技術指標

懇請注意：因市場發(fā)展和產品開發(fā)的需要,，本產品資料中有關內容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,，恕不另行通知，不便之處敬請諒解,。

如有疑問或需要更多詳細信息,，請隨時聯(lián)系中圖儀器咨詢。