MKW-200 直寫光刻機/無掩膜光刻機
- 公司名稱 上海麥科威半導體技術有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 MKW-200
- 產(chǎn)地 上海
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2025/4/26 18:43:02
- 訪問次數(shù) 147
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詳細介紹
上海麥科威MKW-200是一個高價值的激光直寫光刻機,,面向大學和研究機構(gòu)尋求擴大他們的能力。
它用亞微米像素分辨率的405nm激光在光敏抗蝕劑涂層表面大面積書寫,。你可以寫任何東西,,從光掩模到基礎科學或應用科學的研究原型,集成相機可以用來調(diào)整現(xiàn)有的功能寫,。
我們對其進行了優(yōu)化,,以便于使用和簡單維護,利用現(xiàn)成的部件,,而不犧牲書寫質(zhì)量或功能,。
直接激光書寫光刻
直接激光光刻技術通過消除光掩模生產(chǎn)對外部供應商的依賴,大大降低了微流體,、微電子,、微機械和材料科學研究等領域的成本和執(zhí)行時間。
UV-Writer隨其控制軟件在PC上提供,。它允許您從GDSII文件的單元格或直接從PNG圖像導入要寫入的設計,。
一切都是通過一個用戶友好的圖形界面來完成的,,它允許您在執(zhí)行之前預覽要編寫的設計。
除了對每個設計應用旋轉(zhuǎn),、反射,、反轉(zhuǎn)或比例調(diào)整等變換外,還可以在單個過程中組合多個設計,。
在確定了設計方案后,,采用了所包含的工作臺控制模塊和共焦顯微鏡。
使用它們,,您可以設置基片上工藝的原點位置和感光表面上的焦平面,。
接下來執(zhí)行該過程并將設計寫在表面上。
技術指標:
XY工作臺
典型寫入速度:100-120 mm/s
面積:100x92 mm^2
最小面積:沒有最小面積
單向定位臺階:X=0.16µm,,Y=1.00µm
慢速X軸上的機械噪聲:<1µm
快速Y軸上的機械噪聲:<1µm
多層對準精度:5-10µm(可選旋轉(zhuǎn)臺,,便于對準)
實際最小特征尺寸:6-15µm,取決于特征(示例見下圖)
軟件
支持的格式:PNG,、GDSII
在軟件轉(zhuǎn)換:,,旋轉(zhuǎn)、反射,、反轉(zhuǎn),、重縮放、添加邊框
-可以在一個進程中編寫來自不同文件的多個設計
-通過3點線性或4點雙線性聚焦測量進行傾斜/翹曲基板補償
-全床曲率補償?shù)木W(wǎng)格型標定
光學
-激光波長:405nm(可選375nm)
-激光聚焦,、對準和檢測用共焦顯微鏡
-二次獨立黃色照明
-激光光斑尺寸可以使用工業(yè)標準顯微鏡物鏡改變
精度:
-精細:0.8µm
-介質(zhì):2µm
-粗粒:5µm
大面積包含目標的有效書寫速度(單向書寫):
-精細:1.7 mm^2/min
-中等:4.25 mm^2/min
-粗糙度:10.6 mm^2/min
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