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無掩膜直寫光刻設(shè)備定義為一種無需物理掩膜版,、通過計算機控制的高精度光束（如激光束或數(shù)字微鏡器件）直接在光刻膠或感光材料的基材上曝光圖形的微納加工設(shè)備,，適用于微納米級圖形制備。其核心技術(shù)基于光學或帶電粒子束（如激光直寫,、DMD投影）直接掃描或投影圖案,，消除了掩膜版制作環(huán)節(jié)，實現(xiàn)高精度圖形轉(zhuǎn)移,。設(shè)備的核心優(yōu)勢包括高靈活性,、快速原型制造能力,，以及顯著降低研發(fā)成本和時間周期。主要應(yīng)用于科研機構(gòu),、實驗室及小批量工業(yè)原型制造（如微流控芯片,、半導體器件開發(fā)）。
工作原理：
激光直寫技術(shù)：聚焦激光束掃描曝光,，最小分辨率達0.5μm（405nm光源）,。
DMD投影技術(shù)：計算機生成圖形控制DMD微鏡反射紫外光，實現(xiàn)高速面掃描（如每秒數(shù)百萬束光）,。
對比傳統(tǒng)掩膜光刻：
掩膜版依賴：
傳統(tǒng)掩膜光刻：必需,，成本高周期長
無掩膜直寫光刻：省略
圖案修改：
傳統(tǒng)掩膜光刻：需重新制版，耗時耗資
無掩膜直寫光刻：計算機實時調(diào)整
小批量適配性：
傳統(tǒng)掩膜光刻：經(jīng)濟性差
無掩膜直寫光刻：成本效率優(yōu)解
三維加工：
傳統(tǒng)掩膜光刻：受限
無掩膜直寫光刻：灰階曝光直接實現(xiàn)
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