半導(dǎo)體預(yù)清洗機(jī)是晶圓制造前道工藝中的關(guān)鍵設(shè)備,，專為去除硅片表面微粒污染、有機(jī)物殘留,、氧化層及金屬雜質(zhì)而設(shè)計,。本設(shè)備通過集成濕法化學(xué)清洗、兆聲波空化,、等離子體活化等多模塊技術(shù),，實(shí)現(xiàn)納米級潔凈度控制，為光刻,、蝕刻,、沉積等后續(xù)制程提供超凈表面基礎(chǔ)，顯著提升芯片良品率與性能穩(wěn)定性,。

核心技術(shù)優(yōu)勢

復(fù)合式清洗模式

兆聲波空化技術(shù)（SAP）：采用高頻（>1MHz）聲波場,，精準(zhǔn)剝離<10nm顆粒,，避免機(jī)械損傷，適用于敏感結(jié)構(gòu)（如FinFET器件）,。

等離子體預(yù)處理：通過O?/Ar等離子體轟擊,，高效分解光刻膠殘留及有機(jī)污染物，表面活化能提升后續(xù)清洗液浸潤效果,。

化學(xué)濕法定制：支持SC-1（H?SO?/H?O?）,、SC-2（NH?OH/H?O?）、DHF（稀釋氫氟酸）等配方切換,，兼容不同材質(zhì)（Si,、SiC、GaAs）的腐蝕與去氧化需求,。

精密流體控制系統(tǒng)

動態(tài)液膜分布技術(shù)：噴淋臂三維運(yùn)動軌跡結(jié)合渦旋流控算法,，實(shí)現(xiàn)清洗液均勻覆蓋，消除晶圓邊緣效應(yīng),。

在線監(jiān)測與閉環(huán)調(diào)節(jié)：實(shí)時監(jiān)測電導(dǎo)率,、pH值及顆粒濃度，AI算法自動調(diào)整化學(xué)液配比與沖洗時間,，降低耗材浪費(fèi),。

超潔凈干燥工藝

低溫旋干技術(shù)：利用Marangoni效應(yīng)快速揮發(fā)水分，結(jié)合N?/IPA（異丙醇）雙介質(zhì)置換,，避免水痕與氧化物殘留,。

潔凈室級密封設(shè)計：腔體采用電解拋光316L不銹鋼，配備HEPA過濾單元（0.1μm截留率）,，防止二次污染,。

智能化與自動化特性

無人值守操作：全自動機(jī)械臂完成上料、清洗,、干燥及下料,，支持24小時連續(xù)運(yùn)行。

數(shù)據(jù)追溯系統(tǒng)：每片晶圓的清洗參數(shù)（溫度,、流速,、時間）及潔凈度檢測數(shù)據(jù)自動存檔，符合ISO/SEMI標(biāo)準(zhǔn),。

遠(yuǎn)程運(yùn)維支持：設(shè)備狀態(tài)實(shí)時上傳至云端平臺,，支持故障預(yù)警與工藝參數(shù)遠(yuǎn)程優(yōu)化。

環(huán)保與經(jīng)濟(jì)性設(shè)計

廢液循環(huán)處理：內(nèi)置三級過濾系統(tǒng)（UF+RO+離子交換）,，回收率達(dá)90%,，降低危廢處理成本。

節(jié)能模式：待機(jī)時自動進(jìn)入低功耗狀態(tài),，化學(xué)液加熱采用PID恒溫控制,，減少能源消耗,。

模塊化適配：可根據(jù)產(chǎn)線需求靈活配置單片/批式清洗模塊，兼容2-12英寸晶圓,，降低企業(yè)設(shè)備迭代成本,。

應(yīng)用場景與行業(yè)價值

本設(shè)備廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、3D NAND閃存,、功率半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體（如GaN,、SiC）制造環(huán)節(jié),，尤其適用于：

光刻前硅片表面有機(jī)物去除

蝕刻后聚合物殘留清洗

TSV（硅通孔）工藝中的深槽清潔

封裝中的臨時鍵合劑剝離

通過提升晶圓表面潔凈度至<0.1nm粗糙度與<0.01μm2顆粒密度,，可減少50%以上的電參數(shù)漂移問題,，助力客戶突破5nm以下制程良率瓶頸。