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JGP450 高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)

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磁控濺射薄膜沉積

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備,、半導體分析測試設(shè)備,、半導體光電測試儀表及相關(guān)儀器裝備維護、保養(yǎng),、售后技術(shù)支持及實驗室整體服務(wù),。

公司目前已授實用新型權(quán)利 29 項,軟件著作權(quán) 14 項,,是創(chuàng)新型中小企業(yè),、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè),。










冷熱臺,快速退火爐,,光刻機,,納米壓印、磁控濺射,,電子束蒸發(fā)

1.產(chǎn)品概述:
本沉積系統(tǒng)可用于制備光學薄膜,、電學薄膜、磁性薄膜,、硬質(zhì)保護薄膜和裝飾薄膜等,,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),,采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng),。
2.設(shè)備用途:
用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜,、金屬膜,、半導體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備,??蓮V泛應用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項目,。

3.真空室結(jié)構(gòu):
圓筒形上升蓋尺寸例如φ450×350mm,,采用不銹鋼材料制造,可進行內(nèi)烘烤,,接口處采用金屬墊圈或氟橡膠圈密封,。
真空室尺寸:φ450×350mm
限真空度:≤6.0E-5Pa包括分子泵和機械泵,通過超高真空閘板閥主抽,并設(shè)有旁路抽氣 
沉積源:永磁靶3套,,φ2英寸
樣品尺寸,,溫度:φ2英寸,6片; φ4英寸,1片; 高800℃
占地面積(長x寬x高):約2米×1.5米×2米
電控描述:全自動
工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤±3%









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