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APD-QE 先進(jìn)光電探測器量子效率與參數(shù)分析系統(tǒng)
- 公司名稱 光焱科技股份有限公司
- 品牌 Enlitech
- 型號 APD-QE
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/3/14 11:40:36
- 訪問次數(shù) 3200
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測量模式 | 交流 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
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價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,能源 |
使用均勻光源的「照度模式」(Irradiance Mode) 符合ASTM E1021
取代傳統(tǒng)聚焦小光源,,可以測試等級光電子檢測器。
均勢光斑可以克服色散差與像差的問題,,可準(zhǔn)確測量得EQE曲線
可搭配多種探針系統(tǒng),,實(shí)現(xiàn)非破壞性的快速測試。
整合光學(xué)與測試系統(tǒng),,提高系統(tǒng)搭建效率,。
一體式自動化測試軟件,自動光譜保存與檢測,,工作效率高,。
測試特性:
– 環(huán)境效率 EQE
– 光譜回應(yīng) SR
– IV 曲線檢測
– NEP 光譜檢測
– D* 光譜檢測
– 噪聲-電流-頻率響應(yīng)圖(A/Hz -1/2 ; 0.01Hz~1,000Hz)
– Flicker noise, Johnson Noise, Shot noise 分析
光焱科技Enlitech 的專家團(tuán)隊(duì)擁有豐富的實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)知識,能夠在線上或現(xiàn)場指導(dǎo)客戶進(jìn)行精密測試,。 例如,,通過對噪聲電流頻率圖的詳細(xì)分析,Enlitech 幫助客戶識別潛在的測試誤差,,優(yōu)化測試參數(shù),,從而提升測試的精確度與再現(xiàn)性。
Enlitech 深知,,在光電領(lǐng)域中,,精確測試對產(chǎn)品開發(fā)和質(zhì)量控制至關(guān)重要。 客戶在面對如噪聲電流頻率,、量子效率(EQE),、探測度(D*)及噪聲等效功率(NEP)等測試時(shí),常常因儀器調(diào)校復(fù)雜,、數(shù)據(jù)不穩(wěn)定而感到困惑,。 針對這些痛點(diǎn),Enlitech提供了全面的解決方案,。
EQE 和 D* 等指標(biāo)直接影響光電探測器的靈敏度和性能,,這在半導(dǎo)體、通訊及航空航天等高科技領(lǐng)域尤為重要,。 準(zhǔn)確的測試數(shù)據(jù)不僅能夠幫助客戶提升產(chǎn)品質(zhì)量,,還能降低產(chǎn)品開發(fā)周期,節(jié)省成本,。
定制化光斑尺寸與光強(qiáng)度
光焱科技APD-QE光譜儀量子效率檢查系統(tǒng)在光束直達(dá)25mm光束尺寸,、工作距200mm條件下檢查,可以達(dá)到光強(qiáng)度與光均強(qiáng)度如下,。在波長530nm時(shí),,光強(qiáng)度可以達(dá)到82.97uW/(cm 2 ),。
定量控制功能:
APD-QE 光感測器量子效率檢測系統(tǒng)具有「定量」功能(選配),,用戶可以透過控制各個(gè)單色光子數(shù),,讓各波長光子數(shù)都一樣,并進(jìn)行測試,。這也是光感測科技 APD-QE 光感測器量子效率檢測系統(tǒng)的獨(dú)到技術(shù),其他廠商都做不到,。
使用定量子數(shù)控制模式(CP控制模式),,子數(shù)變化可以 < 1%
系統(tǒng)規(guī)格
◆均光系統(tǒng)與探針臺整合:
◆ 高均光斑:
采用了利傅立葉光學(xué)元件均光系統(tǒng),,可將單色光強(qiáng)度空間分布均勢化。在 10mm x 10mm 面積以 5 x 5 檢測光強(qiáng)度分,,不一致勢在 470nm,、530nm、630nm,、850nm 均可小於 1%,。在 20mm x 20mm 面積以 10 x 10 矩檢測光強(qiáng)度分,不一致勢可以小於 4%,。
◆ PDSW 軟體
軟體可支持多種 SMU 控制,,自動進(jìn)行光照 IV 測試以及暗態(tài) IV 測試,,并支持多圖顯示。
▌D* 與 NEP
相對于其它 QE 系統(tǒng),,APD-QE 可以直接檢測并得到 D* 與 NEP,。
▌速率-雜訊電流曲線
▌可升級軟件
升級FETOS軟件操作界面(選配),可測試3端與4端的Photo-FET組件,。
內(nèi)部集成探針臺
APD-QE 系統(tǒng)由其出色的光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì),,可以組成多種探針臺。全波長光譜儀的所有光學(xué)元件都集成在精巧的系統(tǒng)中,。單色光學(xué)儀引到探針臺遮光罩盒,。圖像顯示了 MPS-4-S 基本探針臺組件,帶有 4 英寸真空吸入盤和 4 個(gè)帶有低噪音三軸電子的探針微定位器,。
集成探針臺顯示微鏡,,手動滑動切換到被測試設(shè)備的位置。使用滑動條件后,,單色光源器被「固定」在設(shè)計(jì)位置,。顯示微圖像可以顯示于屏幕上,方便用戶進(jìn)行良好的連接,。
可客制化整合多種探針與遮光暗箱:

A. 定制化隔離遮光箱,。
B. 由于先進(jìn)的PD估算響應(yīng)速度,所以有效面積就要?。ń档腿萘啃剩?,因此,有很多需要整合探針臺的需求,。
C. 可整合不同的半導(dǎo)體分析儀器如4200或E1500,。
應(yīng)用
● LiDAR 中的光電探測器
● InGaAs 光電二維 / SPAD(單光子雪崩二極管)
● 蘋果手表光能傳感器
● 用于高增益感測和成像的光電二極管門控電晶體
● 高頻電感增益和填充系數(shù)光學(xué)靈敏度分析儀
● 高靈敏度X射線探測器表征
● 硅光學(xué)
● InGaAs APD(雪崩光電二極管)
應(yīng)用1: iPhone 12的LiDAR和其他傳感器中光電二極管的外部量子效率:
應(yīng)用 2:用于高增益?zhèn)鞲泻统上竦墓怆姸O管門控晶體管:
在光學(xué)傳感和成像應(yīng)用中,為了提高靈敏度和 SNR,,APS (active pixel sensor) 包括一個(gè)光電探測器或一個(gè)光電二極管和幾個(gè)晶體管,,形成一個(gè)多組件電路。 其中一個(gè)重要的單元:像素內(nèi)放大器,,也稱為源追隨者是必須使用,。 APS 自誕生之日起,就從三管電路演變?yōu)槲骞茈娐?,以解決暈染,、復(fù)位噪聲等問題。 除了 APS,,雪崩光電二極管 ( APD )及其相關(guān)產(chǎn)品:硅光電倍增器(SiPM)也可以獲得高靈敏度,。 然而,由于必須采用高電場來啟動光電倍增和碰撞電離,因此在這些設(shè)備中高場引起的散粒噪聲很嚴(yán)重,。
最近,,提出了亞閾值操作光電二極管(PD)門控晶體管的器件概念。 它無需高場或多晶體管電路即可實(shí)現(xiàn)高增益,。 增益源自光誘導(dǎo)的柵極調(diào)制效應(yīng),,為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),必須進(jìn)行亞閾值操作,。 它還以緊湊的單晶體管( 1-T) APS 格式將 PD 與晶體管垂直集成,,從而實(shí)現(xiàn)高空間分辨率。 這種器件概念已在各種材料系統(tǒng)中實(shí)施,,使其成為高增益光學(xué)傳感器的可行替代技術(shù),。
APD-QE 系統(tǒng)致力于研究和分析光電二極管門控非晶硅薄膜晶體管:
不同光強(qiáng)下的光轉(zhuǎn)移曲線特性。
光強(qiáng)度函數(shù)的閾值電壓變化(ΔVth),。
有/無曝光的晶體管輸出特性,。
量子效率與光敏增益光譜。
(a) a-Si:H 光電二極管門控 LTPS TFT 結(jié)構(gòu)示意圖; (b) 等效電路圖,,顯示具有高 SNR 的 APS
(a) 像素的顯微照片; (b) 部分陣列的顯微照片; (c) 圖像傳感器芯片的照片