UltraTran 東譜科技多功能光電器件測(cè)試儀
- 公司名稱 東譜科技(廣州)有限責(zé)任公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) UltraTran
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/8/23 9:12:42
- 訪問次數(shù) 122
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:斜坡電壓電流測(cè)試(Ramp-IV),、階梯電壓電流測(cè)試(Step-IV),、脈沖電壓電流測(cè)試(Pulse-IV)、開關(guān)瞬態(tài)光電流(on-off TPC),、開關(guān)瞬態(tài)光電壓(on-off TPV),、暗注入瞬態(tài)特性測(cè)試(DIT)、深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS),、暗態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試(Dark-CELIV),、光態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試(Photo-CELIV),、電荷抽取測(cè)試(CE),、阻抗譜測(cè)試(IS)、電容電壓測(cè)試(CV),、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS),、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS)、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS),、光電器件瞬態(tài)特性(時(shí)域/頻域測(cè)試),、電致發(fā)射譜(ELS)、多功能載流子瞬態(tài)特性分析
▌ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
UltraTran是一款集成了多種光電測(cè)試功能的儀器設(shè)備,,專門針對(duì)半導(dǎo)體材料和器件的電學(xué)與光電特性進(jìn)行精確測(cè)量,,尤其適用于發(fā)光(OLED、PeLED等)與光伏器件(OPV,、晶硅PV,、異質(zhì)結(jié)疊層PV等),該設(shè)備核心功能包括:
1)斜坡電壓電流測(cè)試(Ramp-IV),、階梯電壓電流測(cè)試(Step- IV)和脈沖電壓電流測(cè)試(Pulse-IV),。這些測(cè)試模式使得用戶能夠以不同的電學(xué)激勵(lì)方式對(duì)樣品進(jìn)行掃描,,從而獲得關(guān)于樣品在不同激勵(lì)下的電學(xué)性質(zhì)。Ramp-IV以連續(xù)的方式提供電壓掃描,,適用于捕捉材料響應(yīng)的連貫變化,;Step-IV則以逐步階梯的方式提供電壓,適合觀察材料在不同電壓階躍下的穩(wěn)態(tài)行為,;而Pulse-IV通過短時(shí)的電壓脈沖,,允許研究器件的動(dòng)力學(xué)IV特性,也可以有效減少器件的熱阻,,增加器件的注入電流,。
2)UltraTran還提供了開關(guān)瞬態(tài)光電流(on-off TPC)和開關(guān)瞬態(tài)光電壓(on-off TPV)測(cè)試,這些功能適合于研究材料在光照激發(fā)下的上升和下降過程【瞬態(tài)光電流/光電壓/光電荷測(cè)試參考我司TranPVC產(chǎn)品】,。
3)暗注入瞬態(tài)特性測(cè)試(DIT)和深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS)是可以用于探測(cè)和分析半導(dǎo)體中的陷阱和缺陷狀態(tài),。DLTS技術(shù)尤為擅長(zhǎng)于識(shí)別和量化材料中的微小缺陷濃度,為改善半導(dǎo)體材料質(zhì)量提供關(guān)鍵信息,。
4)設(shè)備還支持暗態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試(Dark-CELIV)和光態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試(Photo-CELIV),,這兩種模式能夠測(cè)定電荷在半導(dǎo)體內(nèi)的傳輸和復(fù)合機(jī)制,得到遷移率等參數(shù),。
5)等效電荷抽取測(cè)試(CE),,可以研究器件的電荷濃度。
6)阻抗譜測(cè)試(IS),、電容電壓測(cè)試(CV)等功能則為設(shè)備增加了額外的維度,使其能夠全面評(píng)估材料的阻抗和介電性能,。
7)強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS)和強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜(IMVS)為研究者提供了一種方法來探究材料對(duì)光強(qiáng)變化的頻率響應(yīng),,這對(duì)于光伏材料和應(yīng)用尤為重要。
8)電致發(fā)射譜(ELS)為研究材料的電致發(fā)光特性,,得到光譜,、色坐標(biāo)等參數(shù)。
▌ 測(cè)試功能
□ 斜坡電壓電流測(cè)試(Ramp-IV),;
□ 階梯電壓電流測(cè)試(Step-IV),;
□ 脈沖電壓電流測(cè)試(Pulse-IV);
□ 開關(guān)瞬態(tài)光電流(on-off TPC),;
□ 開關(guān)瞬態(tài)光電壓(on-off TPV),;
□ 深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS);
□ 暗注入瞬態(tài)特性測(cè)試(DIT),;
□ 暗態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試(Dark-CELIV),。
□ 光態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試(Photo-CELIV);
□ 電荷抽取測(cè)試(CE),;
□ 阻抗譜測(cè)試(IS),;
□ 電容電壓測(cè)試(CV),;
□ 強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS);
□ 強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜(IMVS),;
□ 電致發(fā)射譜(ELS),;
▌ 產(chǎn)品應(yīng)用
□ 半導(dǎo)體:有機(jī)半導(dǎo)體、金屬-有機(jī)框架,、共價(jià)有機(jī)框,、鈣鈦礦材料、二維材料,、元素半導(dǎo)體(Si,、Ge等)、化合物半導(dǎo)(InGaAs等),、寬帶隙第三代半導(dǎo)體,、量子點(diǎn)半導(dǎo)體、其它半導(dǎo)體材料,;
□ 光伏材料器件,;
□ 發(fā)光材料器件;
□ 光催化材料器件,。
▌ 功能模塊
多功能光電器件測(cè)試儀UltraTran | ||||
功能 | 是否標(biāo)配 | 電光轉(zhuǎn)換器件選配 | 光電轉(zhuǎn)換器件選配 | |
斜坡電壓電流測(cè)試(Ramp-IV) | ● | |||
階梯電壓電流測(cè)試(Step-IV) | ● | |||
脈沖電壓電流測(cè)試(Pulse-IV) | ● | |||
開關(guān)瞬態(tài)光電流(on-off TPC) | × | ● | ||
開關(guān)瞬態(tài)光電壓(on-off TPV) | × | ● | ||
暗注入瞬態(tài)特性測(cè)試(DIT) | ● | |||
深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS) | ● | |||
暗態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試(Dark-CELIV) | ● | |||
光態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試(Photo-CELIV) | × | ● | ● | |
電荷抽取測(cè)試(CE) | × | ● | ||
阻抗譜測(cè)試(IS) | ● | |||
電容電壓測(cè)試(CV) | ● | |||
強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS) | × | ● | ||
強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜(IMVS) | × | ● | ||
電致發(fā)射譜(ELS) | × | ● | ||
性能參數(shù) | ||||
采樣率 | 250MS/s | |||
時(shí)間分辨率 | 5ns | |||
頻率范圍 | 10 mHz to 10 MHz | |||
電壓范圍 | ±12V | |||
電流范圍 | 0~100 mA | |||
最小電流分辨率 | ≤100pA | |||
光電探測(cè)模塊 | 波長(zhǎng)范圍:350nm-1100nm,;上升時(shí)間:14ns。 | |||
LED光源模塊 | 色溫:6500K,;波長(zhǎng)范圍:400nm-700nm,; | |||
變溫模塊 | 根據(jù)需要配置液氮低溫恒溫器、液氦低溫恒溫器等 |