1. 產(chǎn)品概述

分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中,，將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束,，從爐中噴出后,，沉積在高溫的單晶基片上。如果設(shè)置幾個噴射爐,，就可以制取多元半導(dǎo)體混晶,，又可以同時進(jìn)行摻雜?？梢跃_地控制結(jié)晶生長,，進(jìn)行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長過程的研究。

2. 設(shè)備特點

分子束外延,，是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中,，將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束,，從爐中噴出后,，沉積在溫度保持在100°以上的單晶基片上。如果設(shè)置幾個噴射爐,，就可以制取多元半導(dǎo)體混晶,，又可以同時進(jìn)行摻雜?？梢跃_地控制結(jié)晶生長,，進(jìn)行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長過程的研究。

12個源爐：鎵,、銦,、鋁,、砷、銻,、磷,、鉍、硅,、鎂,、摻雜等；

襯底：大4inch ,；

高溫度：1000°C 溫度均勻性：≤±3°C（4inch）,；

超高真空下全自動樣品轉(zhuǎn)移；

用于過程控制和分析的所有現(xiàn)代現(xiàn)場監(jiān)控功能,；

一個集群上多7個超高真空功能單元：裝載,、儲存、翻轉(zhuǎn),、處理,、排氣、生長,，外部腔室,；

可連接其他分析設(shè)備或其他：ALD、PLD,、PVD,、金屬化、STM,。