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透射電鏡高溫力電原位系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 廈門超新芯科技有限公司
  • 品牌 CHIPNOVA
  • 型號
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2023/12/27 10:04:53
  • 訪問次數(shù) 2154

聯(lián)系方式:邱惠新查看聯(lián)系方式

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超新芯(CHIPNOVA)是早期原位芯片技術開發(fā)研究者,擁有MEMS芯片制造和原位電鏡方面的資深團隊,,10余年來技術不斷迭代升級,,在電鏡中實現(xiàn)了液、氣體微環(huán)境引入及光,、電,、力、熱等外場控制與高時空分辨顯微研究,。相關系統(tǒng)在材料,、能源、環(huán)境,、化學,、生物等領域廣泛應用,,促進了人類對微觀世界的探索,推動了相關領域的科技進步,。

除了繼續(xù)深耕原位電子顯微等科研領域,,做世界優(yōu)秀的科研產(chǎn)品供應商;超新芯(CHIPNOVA)也正將相關技術延伸應用于智慧物聯(lián),、大健康等民用領域,,產(chǎn)品涵蓋提供智慧牧場方案的智能項圈、監(jiān)測實時血糖狀況的CGM,,為國人提供高品質的技術與服務,。

 

原位液相,原位氣相,真空加熱,原位電化學,原位光學,原位力學,原位冷凍

適用電鏡 Thermo?Fisher/FEI,?JEOL,?Hitachi

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我們的優(yōu)勢

力學性能

1.高精度壓電陶瓷驅動,納米級別精度數(shù)字化精確定位,。

2.實現(xiàn)1000℃加熱條件下壓縮,、拉伸、彎曲等微觀力學性能測試,。

3.nN級力學測量噪音,。

4.具備連續(xù)的載荷-位移-時間數(shù)據(jù)實時自動收集功能。

5.具備恒定載荷,、恒定位移,、循環(huán)加載控制功能,適用于材料的蠕變特性,、應力松弛,、疲勞性能研究。


優(yōu)異的熱學性能

1.高精密紅外測溫校正,,微米級高分辨熱場測量及校準,,確保溫度的準確性。

2.超高頻控溫方式,,排除導線和接觸電阻的影響,,測量溫度和電學參數(shù)更精確。

3.采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲(非陶瓷材料),,既是熱導材料又是熱敏材料,,其電阻與溫度有良好的線性關系,加熱區(qū)覆蓋整個觀測區(qū)域,,升溫降溫速度快,,熱場穩(wěn)定且均勻,穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動≤±0.1℃,。

4.采用閉合回路高頻動態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式,,高頻反饋控制消除誤差,控溫精度±0.01 ℃。

5.多級復合加熱MEMS芯片設計,,控制加熱過程熱擴散,,極大抑制升溫過程的熱漂移,確保實驗的高效觀察,。


優(yōu)異的電學性能

1.芯片表面的保護性涂層保證電學測量的低噪音和精確性,,電流測量精度可達皮安級

2.MEMS微加工特殊設計,,同時加載電場,、熱場、力學,,相互獨立控制,。


智能化軟件

1.人機分離,軟件遠程控制納米探針運動,,自動測量載荷-位移數(shù)據(jù),。

2.自定義程序升溫曲線??啥x10步以上升溫程序,、恒溫時間等,同時可手動控制目標溫度及時間,,在程序升溫過程中發(fā)現(xiàn)需要變溫及恒溫,,可即時調(diào)整實驗方案,提升實驗效率,。

3.內(nèi)置絕對溫標校準程序,,每塊芯片每次控溫都能根據(jù)電阻值變化,重新進行曲線擬合和校正,,確保測量溫度精確性,,保證高溫實驗的重現(xiàn)性及可靠性。



技術參數(shù)

類別項目參數(shù)
基本參數(shù)桿體材質高強度鈦合金
控制方式高精度壓電陶瓷
傾轉角α≥±20°,,傾轉分辨率<0.1°(實際范圍取決于透射電鏡和極靴型號)
適用電鏡Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi
適用極靴ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP
(HR)TEM/STEM支持
(HR)EDS/EELS/SAED支持











應用案例




600°C高溫下銅納米柱力學壓縮實驗

以形狀尺寸微小或操作尺度極小為特征的微機電系統(tǒng) (MEMS)越來越受到人們的高度重視 , 對于尺度在 100μm 量級以下的樣品 , 會給常規(guī)的拉伸和壓縮試驗帶來一系列的困難,。納米壓縮實驗 , 由于在材料表面局部體積內(nèi)只產(chǎn)生很小的壓力 , 正逐漸成為微 / 納米尺度力學特性測量的主要工作方式。因此 , 開展微納米尺度下材料變形行為的實驗研究十分必要,。為了研究單晶面心立方材料的微納米尺度下變形行為 , 以納米壓縮實驗為主要手段 , 分析了銅納米柱初始塑性變形行為和晶體缺陷對單晶銅初始塑性變形的影響,。結果表明銅柱在納米壓縮過程中表現(xiàn)出更大程度的彈性變形,。同時對壓縮周圍材料發(fā)生凸起的原因和產(chǎn)生的影響進行了分析 , 認為銅納米柱壓縮時周圍材料的凸起將導致納米硬度和測量的彈性模量值偏大,。為了研究表面形貌的不均勻性對銅納米柱初始塑性變形行為的影響 , 通過加熱的方法 , 在銅納米柱表面制備得到納米級的表面缺陷 , 并對表面缺陷的納米壓縮實驗數(shù)據(jù)進行對比分析 , 結果表明表面缺陷的存在會極大影響銅納米柱初始塑性變形。通過透射電子顯微鏡 ,銅納米柱壓縮點周圍的位錯形態(tài)進行了觀察 , 除了觀察到納米壓縮周圍生成的位錯 , 還發(fā)現(xiàn)有層錯,、不全位錯及位錯環(huán)的共存,。表明銅納米柱的初始塑性變形與位錯的發(fā)生有密切的聯(lián)系。























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