襯底尺寸：標準尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)

工藝溫度：溫度范圍：RT~500°C （可定制）

前驅(qū)體路數(shù)：支持6路前驅(qū)體氣路（可定制),，包含固、液態(tài)前驅(qū)體源瓶

加熱系統(tǒng)：可加熱溫度范圍：RT~150℃

反應物路數(shù)：支持2路反應物氣路（可定制）

載氣：標準：N₂, MFC 流量控制（可定制）

等離子體系統(tǒng)：支持4路等離子體氣體（可定制）

射頻功率：0~1000W

壓力監(jiān)測：雙薄膜規(guī)組合（耐腐蝕),，0.005Torr - 1000Torr

本底真空度：<5x10^-3 Torr

真空系統(tǒng)：標準油泵

控制系統(tǒng)：19寸顯示器,，支持觸控工業(yè)級嵌入式工控機，高可靠性,，支持擴展

操作系統(tǒng)：Win7 操作系統(tǒng),，工業(yè)級可編程邏輯控制器，支持現(xiàn)場總線與實時多任務(wù)處理操作

高溫加熱模塊：獨立的源瓶加熱模塊,，可支持RT~200℃

工藝

可沉積薄膜種類和應用場景包括：

• High-K介電材料 (Al₂O₃, H₂O, ZrO₂, PrA1Q, Ta₂O₅, La₂O₃);

• 金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN, Ru, In);

• 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO₂):

• 生物醫(yī)學涂層 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN);

•金屬(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni）;

• 壓電層 (ZnO, AIN, ZnS);

• 透明電學導體 (ZnO:Al, ITO);

• 光子晶體(ZnO, TiO₂, Ta₃N₅);等

機架

•外殼采用碳鋼烤漆及圓角處理,，輕便美觀,，拆卸方便，符合人體工學

•顯示屏360度自由旋轉(zhuǎn),，可調(diào)視距,、視角、自由懸停

控制系統(tǒng)

• 采用 PLC 對設(shè)備進行實時控制，同時實現(xiàn)基于Windows7 操作系統(tǒng)的人機界面互動,，支持歷史數(shù)據(jù),、工藝配方、報警及日志的儲存和導入導出的功能

• 設(shè)備支持“一鍵沉積”功能,，點擊運行按鍵即可自動完成真空抽取,、升溫、材料沉積,、降溫等一系列步驟,。實現(xiàn)單一或多層材料的沉積；提供獨立的手動操作頁面,，支持手動開關(guān)閥門的操作,，人機交互同時支持鼠標,、鍵盤和觸摸的輸入方式

• 設(shè)備運行軟件提供用戶權(quán)限管理功能,，可根據(jù)用戶級別設(shè)定使用權(quán)限，防止誤操作,，保證設(shè)備和人身安全

• 設(shè)備運行軟件提供邏輯互鎖功能,，防止用戶誤操作，并彈出信息對話框進行提示

• 設(shè)備運行軟件集成安全及參數(shù)配置,、IO互鎖列表信息功能

真空系統(tǒng)

· 真空測量采用雙真空壓力計組合方式,，工藝數(shù)據(jù)更真實，更迅速,，更精確,，為工藝人員提供井真的數(shù)據(jù)采集來源，為工藝的可重復性提供了可靠的保障

應用領(lǐng)域

1.納米材料：ALD 技術(shù)沉積參數(shù)高度可控,，可在各種尺寸的復雜三維微納結(jié)構(gòu)基底上,，實現(xiàn)原子級精度的薄膜形成和生長，可制備出高均勻性,、高精度,、高保形的納米級薄膜。ALD具有高致密性以及高縱寬比結(jié)構(gòu)均勻性,，為MEMS機械耐磨損層,、抗腐蝕層、介電層、憎水涂層,、生物相容性涂層,、刻蝕掩膜層等提供優(yōu)質(zhì)解決方案。ALD技術(shù)沉積參數(shù)高度可控,，可通過精準控制循環(huán)數(shù)來控制MTJ所需達到的各項參數(shù),，是適用于MTJ制造的工藝方案之一。ALD技術(shù)可通過表面修飾,，改善納米孔的生物相容性,，同時提升抗菌抑菌和促進細胞合成。

2.太陽能電池：ALD基材料在c-Si太陽能電池中的應用始于Al₂O₃,，Al₂O₃是一種非常有效的表面鈍化層,，被發(fā)現(xiàn)可以顯著提高c-Si太陽能電池的效率并應用于大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化中。此后的研究中,，ALD的應用研究從表面鈍化層擴展到載流子傳輸材料[8],。

3.催化：ALD技術(shù)很容易地控制納米顆粒的大小、孔隙結(jié)構(gòu),、含量和分散,，有效設(shè)計出核殼結(jié)構(gòu)、氧化物/金屬倒載結(jié)構(gòu),、氧化物限域結(jié)構(gòu),、具有多金屬管套結(jié)構(gòu)和多層結(jié)構(gòu)，且自限制特性可實現(xiàn)催化材料在高比表面材料上的均勻和可控沉積,，實現(xiàn)一步步和“自底向上”的方式在原子層面上構(gòu)建復雜結(jié)構(gòu)的異質(zhì)催化劑材料而得到廣泛研究,。利用ALD技術(shù)具有飽和自限制的表面反應特性，有效抑制金屬有機化合物,、配體的空間位置效應,，天然的將金屬中心原子互相隔離開，抑制金屬原子聚集,，合成單原子催化劑,。利用ALD技術(shù)有效調(diào)控金屬與載體間的相互作用的特性，可獲得單金屬催化劑,，如Ru,、Pt、Pd等貴金屬,。利用ALD技術(shù)能調(diào)控兩種金屬元素生長順序,、循環(huán)周期數(shù)的特性來精準得到雙金屬納米催化劑，合成原子級精準的超細金屬團簇,，如PtPd,、PtRu,、PdRu等雙金屬納米顆粒。利用ALD技術(shù)制備金屬氧化物,，不僅可以制備性能更加優(yōu)良的多相催化劑,，而且可以對負載型催化劑進行改性，達到修飾,、保護催化劑的目的,。

4.鋰電池：ALD在鋰離子電池中的應用特點：（1）電極材料的制備和改性；（2）陰極材料上的保護鍍膜,；（3）陽極材料上的人造固體電解質(zhì)相間（SEI）,；（4）鋰金屬陽極鈍化和防止枝晶生長；（5）ALD作用的固態(tài)電解質(zhì)（SSE）,；（6）隔離膜上的保護涂層

原速科技ALD技術(shù)在鋰電池領(lǐng)域的應用主要有以下幾個方面：

a,、鋰電池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸潤性,，耐壓性,，熱收縮性能

b、鋰電池正極包覆,，改善電池的倍率性能,，循環(huán)性能等

c、鋰電池負極包覆,，改善電池的倍率性能,，循環(huán)性能以及安全性能

5.光學鍍膜：ALD薄膜以飽和吸附的layer-by-layer生長模式，可在結(jié)構(gòu)復雜的幾何表面,，如大曲面及高縱深比深孔結(jié)構(gòu),，大面積形成高均勻性薄膜,，且膜層相較于PVD膜更為致密,，在界面處的結(jié)合力更強，更適用于未來工業(yè)界精密光學器件的制造,。

6.生物醫(yī)療：ALD可以通過低溫沉積形成非常致密的保護膜,，由于是納米級別的膜厚其本身對醫(yī)療設(shè)備也不會造成影響，沉積ALD涂層后可以大幅度增加植入設(shè)備的壽命以及安全性,，也有可能有效的減少更換手術(shù)的頻率,；同時ALD有多種材料都具有生物相容性，這種涂層對人體組織是沒有任何細胞毒性的,，這使得在再生醫(yī)學領(lǐng)域中,，用于對細胞構(gòu)建生物相容性底物的制備時，ALD沉積表面涂層能滿足對新型生物相容性材料的需求,；在藥物方面,，ALD涂層可以有效的保護顆粒不受周圍空氣和水分的影響,，從而大幅度的延長藥物的保質(zhì)期。

7.OLED：幾十納米厚度的ALD封裝膜甚至可媲美傳統(tǒng)OLED封裝技術(shù)的阻隔效果,，同時具有良好的透光率,、熱導率、機械強度,、耐腐蝕性及與基底的粘結(jié)性等性質(zhì),；ALD封裝薄膜因其納米級的膜厚，可以實現(xiàn)很大程度上的彎曲并保持封裝效果不變,，這一特性可兼容柔性O(shè)LED器件封裝,，真正做到顯示屏的可折疊、卷曲,；ALD薄膜優(yōu)異的保型性使其在一些復雜形貌和三維納米結(jié)構(gòu)的LED表面實現(xiàn)出色的鈍化保護層,，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能,；用ALD在LED表面沉積鈍化膜還可以很好地修補被等離子刻蝕造成的破壞性表面,，可有效降低漏電流，顯著提高LED效率,。