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離子污染度測試儀系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 武漢賽斯特精密儀器有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 產(chǎn)地 武漢市江岸區(qū)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2021/6/22 15:37:07
  • 訪問次數(shù) 558

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  武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業(yè)研發(fā),,以力學(xué)試驗機儀器為主,同時銷售各種,、中低端分析儀器?,F(xiàn)有員工60多人,公司成功開發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗軟件,,并采用全數(shù)字化,,操作簡捷,*符合GB,、ISO,、JIS、ASTM,、DIN等標(biāo)準(zhǔn),、國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求,,公司亦通過了ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證和國家計量體系認(rèn)證,,榮獲了“武漢市第九界消費者滿意單位”的稱號。
  產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子,、高校,、政府研究機構(gòu)、環(huán)保機構(gòu),、石油化工,、紡織制造、第三方檢測機構(gòu),、*別研究院,、新能源、集成電路,、芯片、封裝測試,、半導(dǎo)體行業(yè),、顯示器領(lǐng)域,、光電材料、鋰電池,、機械生產(chǎn)等領(lǐng)域,。并與武漢理工大學(xué)、華中科技大學(xué)等建立了長期合作,,每年投入大量研究經(jīng)費,,招攬各方優(yōu)秀的技術(shù)人才加盟突破國內(nèi)技術(shù)壁壘,不斷攻克新的技術(shù)難題,,另外公司還積極拓展海外業(yè)務(wù),,產(chǎn)品遠(yuǎn)銷越南,印度,,埃及等國家和地區(qū),。
  本著“專業(yè)品質(zhì),專業(yè)服務(wù)”為宗旨,,以“科技,、品質(zhì)、競爭,、創(chuàng)新”為理念,,通過不斷汲取新的技術(shù),新的理念,,繼續(xù)開發(fā)研制新產(chǎn)品,,并為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的售前,售中,,售后服務(wù),。熱烈歡迎廣大新老朋友業(yè)函,來電,,蒞臨我公司參觀指導(dǎo),!


 

實驗室檢測儀器,測試儀器設(shè)備等

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子

離子污染度測試儀系統(tǒng)

▲總述

本設(shè)備為兩室真空系統(tǒng),。其中一室為進(jìn)樣取樣室,,另一室為刻蝕室。進(jìn)樣取樣室與刻蝕室之間裝有真空鎖,,進(jìn)樣取樣采用機械手運送,。

本設(shè)備主要由真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng),、電氣系統(tǒng),、控制系統(tǒng),冷卻系統(tǒng),、送取片機構(gòu),、報警系統(tǒng)等組成,。

▲真空系統(tǒng)

本系統(tǒng)由一個抽速600升/秒分子泵+抽速9升/秒真空泵組成抽氣系統(tǒng), 將刻蝕室抽至高真空, 分子泵與刻蝕室之間裝有壓力調(diào)節(jié)閥電插板閥, 機械泵為刻蝕室予抽泵及分子泵前級泵。用另一個抽速9升/秒機械泵將進(jìn)取樣室抽至真空狀態(tài),。 機械泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不銹鋼波紋管連接, 并裝有電磁氣動隔斷閥,。

▲恒壓控制系統(tǒng)

本設(shè)備配有下游恒壓控制系統(tǒng),在抽氣管路裝有一電動可調(diào)節(jié)閥,,通過薄膜規(guī)測量(進(jìn)口件),,可調(diào)節(jié)閥控制,使真空室達(dá)到恒壓,從而提高工藝穩(wěn)定性,。

▲射頻電源系統(tǒng)

采用射頻電源兩套,,帶自動動匹配。

▲氣路系統(tǒng)

由4個質(zhì)量流量控制器控制4路氣體進(jìn)氣,。氣體管路均采用1/4英寸不銹鋼硬管,,管路接頭連接形式采用雙卡套連接。質(zhì)量流量控制器采用美國技術(shù),氣路閥門,、管路等采用進(jìn)口件,。

▲控制系統(tǒng)

采用工控機及PLC控制,通過觸摸屏設(shè)置參數(shù)及顯示測量值,、狀態(tài)等,,實現(xiàn)真空系統(tǒng)及工藝過程自動化。本機可選擇全自動及非全自動模式,。

▲報警系統(tǒng):設(shè)備所需安全要求,。

二. 主要技術(shù)指標(biāo)

  1. 極限真空:  刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內(nèi)濕度≤55%)

               進(jìn)樣取樣室6.0×10-1 Pa

2. 刻蝕材料:  Poly-Si、Si,、SiO2,、Si3N4深刻硅等

3. 刻蝕速率:   0.01~ 2μ/min

4. 刻蝕均勻性: ≤±5%(φ125mm范圍內(nèi)),;

5. 電極尺寸: φ200mm

三.設(shè)備基本配置

1. 真空泵源:  抽速600升/秒分子泵一臺

抽速9升/秒機械泵二臺

2. 射頻功率源: RF 500W射頻電源及自動匹配器一套

RF 1000W射頻電源及自動匹配器一套

3. 氣路系統(tǒng):   4臺質(zhì)量流量計控制四路進(jìn)氣(七星華創(chuàng))

              (管件閥門:進(jìn)口)

4. 真空測量:  復(fù)合真空計一臺

5.恒壓系統(tǒng): 薄膜規(guī)一個(進(jìn)口)

可調(diào)節(jié)閥一套

6. 自動控制系統(tǒng)一套(含工控機,,PLC控制器,17〞觸摸顯示屏,、    驅(qū)動電路等)

離子污染度測試儀系統(tǒng)

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