LT-2型單晶少子壽命測試儀

是參考美國 A.S.T.M 標準而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命,。半導體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導體的常規(guī)測試項目之一,。本儀器靈敏度較高,，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶,、多晶磷檢棒的壽命測量等。

本儀器根據(jù)通用方法高頻光電導衰退法的原理設(shè)計,，由穩(wěn)壓電源,、高頻源、檢波放大器,，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成,。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結(jié)構(gòu)緊湊,、測量數(shù)據(jù)可靠,。

LT-2型單晶少子壽命測試儀技術(shù)指標

測試單晶電阻率范圍>2Ω.cm

配備光源類型

波長：1.09μm；余輝<1 μS；
閃光頻率為：20～30次／秒,；
閃光頻率為：20～30次／秒,；

高頻振蕩源用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz

前置放大器：放大倍數(shù)約25,，頻寬2 Hz-1 MHz

儀器測量重復(fù)誤差<±20％

測量方式采用對標準曲線讀數(shù)方式

儀器消耗功率<25W

儀器工作條件：溫度： 10-35℃,、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V,，50Hz

可測單晶尺寸：斷面豎測：φ25mm—150mm,； L 2mm—500mm；
縱向臥測：φ25mm—150mm,； L 50mm—800mm,；

配用示波器：頻寬0—20MHz；
電壓靈敏：10mV／cm,；