2024年,，卓立漢光迎來成立25周年的重要時刻，為回饋廣大用戶的支持與厚愛,，公司特別推出“卓立漢光25周年系列活動”,。其中，視點前沿名人專訪成為系列活動的一大亮點,，旨在通過卓立漢光的平臺,，讓更多人了解光電前沿技術(shù)與人物，推動光電行業(yè)的發(fā)展,。

在馮教授那充滿智慧與經(jīng)驗的訪談中,，一場關(guān)于科研夢想、學(xué)術(shù)探索與未來科技藍圖的對話即將拉開帷幕,。我們將跟隨鏡頭,，聆聽馮教授如何在科研的日日夜夜中，不斷突破科學(xué)邊界,，推動技術(shù)創(chuàng)新的步伐,。同時，馮教授還將分享他對科研成果產(chǎn)業(yè)化的獨到見解以及科技前沿的無限可能,。

科研逐夢路：求學(xué),、職業(yè)旅程與科研風(fēng)采

馮教授的學(xué)術(shù)旅程豐富多彩，從北京大學(xué)物理系本科到美國匹茲堡大學(xué)博士,，再到亞特蘭大的Georgia Institute of Technology從事博士后研究,，他的足跡遍布全球。馮教授在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域深耕多年,，對氧化鋅,、碳化硅等材料體系有著深入的研究。在訪談中,，馮教授分享了他的求學(xué)經(jīng)歷和研究經(jīng)歷,，以及他在科研道路上的心得體會。

談科研成果轉(zhuǎn)化：從理論到實踐的跨越與策略

馮哲川教授就科研成果的轉(zhuǎn)化問題表達了自己的深刻見解與未來規(guī)劃,。他強調(diào),，科研成果的轉(zhuǎn)化不僅是學(xué)術(shù)研究的自然延伸，更是推動科技進步,、促進社會經(jīng)濟發(fā)展的關(guān)鍵力量,。 馮教授指出，科研人員應(yīng)當超越單純追求論文發(fā)表的局限，致力于將研究成果轉(zhuǎn)化為具有實際應(yīng)用價值的產(chǎn)品或服務(wù),。他分享了自己在廣西大學(xué)期間,，如何通過與卓立漢光合作，推動光電子領(lǐng)域研究工作的發(fā)展,。

詳解寬禁帶半導(dǎo)體材料在科技領(lǐng)域的實際應(yīng)用與創(chuàng)新

在深入探討其研究領(lǐng)域時,，馮教授詳細闡述了寬禁帶半導(dǎo)體材料如何在實際科技領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用，并分享了數(shù)個具體案例,，展現(xiàn)了這些材料在提升科技應(yīng)用性能方面的巨大潛力,。 馮教授特別提到了卓立漢光等企業(yè)提供的高性能光譜儀在研究中發(fā)揮的關(guān)鍵作用，這些設(shè)備為他們的研究工作提供了強有力的支持,。

國產(chǎn)儀器科研設(shè)備：從跟跑到領(lǐng)*的自主創(chuàng)新之路

馮教授強調(diào),，國產(chǎn)科研設(shè)備的自主研發(fā)和創(chuàng)新是推動科技進步的關(guān)鍵。 他認為,，國產(chǎn)儀器企業(yè)的目標不僅是跟隨國際步伐,，更要逐步實現(xiàn)并跑乃至領(lǐng)*，讓“卡脖子”技術(shù)成為過去式,。馮教授對卓立漢光的各類光譜儀給予了高度評價,，并建議公司向海外推廣這些產(chǎn)品，以滿足全球科研和產(chǎn)業(yè)的需求,。

卓立漢光 25 周年祝福語期望

值此卓立漢光成立二十五周年的重要時刻,，馮哲川教授作為長期合作伙伴與用戶，向卓立漢光送上了誠摯的祝福與深切的期望,。馮教授衷心祝愿卓立漢光在二十五年的基礎(chǔ)上,，百尺竿頭更進一步，邁向更加輝煌燦爛的未來,。

采訪感言：

深感榮幸能聆聽到馮哲川教授分享的寶貴經(jīng)驗和獨到見解,，堅信在不久的將來，卓立漢光將與科研人共同見證國產(chǎn)科技在這片領(lǐng)域綻放出的璀璨光芒,，體驗更多由創(chuàng)新引*的奇跡,。

教授簡介

馮哲川，男,，博士,，華中科技大學(xué)訪問教授，博士生導(dǎo)師,。馮哲川教授一直從事半導(dǎo)體生長,、半導(dǎo)體工藝、器件制備及測試,、半導(dǎo)體激光及波導(dǎo)光學(xué)的相關(guān)研究和教學(xué)工作.1988年至1992年馮教授在Emory大學(xué)任教,，1992年至1994年在Singapore國立大學(xué)工作,，1995年在美國喬治亞理工學(xué)院,，1995年至1997年在EMCORE公司,，1998年至2001年在Singapore材料研究及工程學(xué)院，2001年至2002年在Axcel光子公司,，2002至2003年在美國喬治亞理工學(xué)院工作,。在每個地方馮教授都獲得了豐碩的成果。自2003年8月起,，馮教授成為中國臺灣大學(xué)光電所暨電機系的教授,，現(xiàn)在的研究主要著重在MOCVD的生長和氮化物、ZnO和SiC寬帶隙半導(dǎo)體的研究,，其中也包括III-V材料和納米材料/器件的研究,。出版了六本關(guān)于先進化合物半導(dǎo)體材料和微觀結(jié)構(gòu)、多孔硅,、碳化硅和三價氮化物的外文書.發(fā)表文章300余篇,一半被SCI收錄,，被引用次數(shù)超過1200次。