金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備

我們提供了一套完整的MOCVD,，主要產(chǎn)品包括臺式研發(fā)型、中試型和生產(chǎn)型,。其反應(yīng)器的設(shè)計(jì)可以根據(jù)工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產(chǎn)的需要。我們也能為客戶設(shè)計(jì)以滿足客戶特殊工藝和應(yīng)用的需要,。系統(tǒng)部件包括：反應(yīng)器,、氣體傳輸系統(tǒng),、電氣控制系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng).
應(yīng)用方向：氧化物、氮化物,、碳化物,、硫族（元素）化物、半導(dǎo)體等,。
提供適用不同材料研究需要的反應(yīng)器：
透明導(dǎo)體氧化物（TCO）應(yīng)用于LCD,、太陽能電池、透明加熱器,、電極,、LED、OLED等方面包括：P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD系統(tǒng),；
MEMS & MOEMs包括：PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2,，SiO2，PbMgO, CMO,，Ta2O5等MOCVD系統(tǒng),；金屬有機(jī)金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積鍍膜設(shè)備
儲存器 (DRAM & NVRAM)介電/鈍化材料應(yīng)用于柵極、介電層,、鐵電,、高頻設(shè)備、鈍化,、保護(hù)層等,，包括：BST，PZT, SBT, CMO, BLT,，Hf(Si)O, Ta2O5,,，Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD系統(tǒng)；
波導(dǎo), 光電, WDMs. MOEMS 等材料,，包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN,，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系統(tǒng)；
其他材料如：超導(dǎo),、氮化物,、氧化物、磁性材料,、包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN,，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系統(tǒng)；
金屬及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...,；
半導(dǎo)體: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...,；
氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...；
高介電材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...,；
鐵電材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…,；
超導(dǎo)材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …,；
壓電材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性鈦酸鉛...；
金屬:Pt, Cu,...,；
巨磁阻材料...,；
熱涂層, 阻擋層, 機(jī)械涂層, 光學(xué)材料...。


我們提供了從桌面型反應(yīng)器（針對研究和提高的需要）到自動化生產(chǎn)系統(tǒng),。出于材料變化種類的適應(yīng)性和經(jīng)濟(jì)價(jià)格的考慮,，對任何研究人員來說桌面型反應(yīng)器是最合適的選擇，而且也極容易升級為量產(chǎn)型,。
科研型MOCVD設(shè)備,，包含液體直接注入ALD工藝，同一腔室完成沉積和退火,。
-更低的設(shè)備及使用成本,、更少的前驅(qū)體源使用、更小的腔體尺寸,、跟高的薄膜沉積品質(zhì),！
-非常適合高校及研究所科研使用！

儀器參數(shù)：
1/ 1~4英寸MOCVD系統(tǒng),；
2/ 專為滿足科研單位需求而設(shè)計(jì),；
3/ MOCVD系統(tǒng)可在不同基底上，以MOCVD方式,，在固體,、液體有機(jī)金屬基源上沉積氧化物、氮化物,、金屬,、III-V 和 II-VI膜層；
4/ MOCVD配有前驅(qū)體直接處理單元,，可在大范圍內(nèi)使用MO源,，用于外延材料的研發(fā)和制備；
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)在線退火工藝,；

性能及特點(diǎn)：
1,， 溫度范圍: 室溫至1200°C ；
2,， 帶質(zhì)量流量控制器的氣體混合性能,；
3， 真空范圍: ~ 10-3 Torr,，可選配高真空,；
4， 選配手套箱；
5,， 已被客戶廣泛接受
6,， 堅(jiān)固耐用
7， 可靠性高
8,， 良好的可重復(fù)性
9， 經(jīng)濟(jì)適用