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反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備
- 公司名稱 科睿設(shè)備有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2025/2/27 13:23:36
- 訪問次數(shù) 2786
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光刻機(jī),鍍膜機(jī),,磁控濺射鍍膜儀,,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測(cè)量),,氣溶膠設(shè)備,,氣溶膠粒徑譜儀,,等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),,原子層沉積系統(tǒng)(ALD),快速退火爐,,氣溶膠發(fā)生器,,稀釋器,濾料測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
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反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備
RIE,,全稱是Reactive Ion Etching,,反應(yīng)離子刻蝕,是一種微電子干法腐蝕工藝,。
RIE是干蝕刻的一種,,這種蝕刻的原理是,當(dāng)在平板電極之間施加10~100MHZ的高頻電壓(RF,,radio frequency)時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層(ion sheath),,在其中放入試樣,,離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻,此即為RIE(Reactive Ion Etching),。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面,,經(jīng)加速的多數(shù)離子不能與其他氣體分子等碰撞,而直接向試樣撞擊,。為達(dá)到此目的,,必須對(duì)真空度,氣體流量,,離子加速電壓等進(jìn)行佳調(diào)整,,同時(shí),為得到高密度的等離子體,,需用磁控管施加磁場(chǎng),,以提高加工能力。
我司提供多型號(hào)的RIE刻蝕系統(tǒng),,滿足國內(nèi)客戶研究和生產(chǎn)的需要,。
反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備
深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)(Deep Reactive Ion Etching System)
RE系列反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)帶有淋浴頭式樣的氣體分配系統(tǒng)及水冷射頻壓盤,柜體為不銹鋼材質(zhì),。反應(yīng)腔體為13英寸鋁制,、從頂端打開方便晶片裝載取出,最大可進(jìn)行8英寸直徑樣品實(shí)驗(yàn),,帶有兩個(gè)艙門:一個(gè)艙門帶有2英寸視窗,,另一個(gè)艙門用于終點(diǎn)探測(cè)及其他診斷。腔體可達(dá)到10-6 Torr壓力或更高,,自直流偏置連續(xù)監(jiān)控,、最大可達(dá)到500伏偏電壓(各向異性蝕刻)。該反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)為*由計(jì)算機(jī)控制的全自動(dòng)設(shè)備,。
DRIE系列深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)帶有低溫晶片冷卻及偏置壓盤,,設(shè)備使用2kw 8英寸ICP源,使用500L/秒的渦輪泵,,在10-3Torr壓力范圍運(yùn)行,。
RIE 設(shè)備參數(shù):
鋁材腔體或不銹鋼腔體;
不銹鋼盒,;
可以刻蝕硅化物(~400 ? /min)或金屬,;
典型硅刻蝕速率 400 ? /min;
射頻源: 最大12”陽極化射頻平板(RF),;
真空度:大約20分鐘內(nèi)達(dá)到1E-6Torr,極限真空5E-7Torr,;
雙刻蝕容量:RIE和等離子刻蝕;
氣動(dòng)升降蓋,;
手動(dòng)/全自動(dòng)裝卸樣品,;
預(yù)抽真空室,;
電腦控制
選配ICp源和平臺(tái)的低溫冷卻實(shí)現(xiàn)深硅刻蝕。
反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)可選配:
1. 最高700W的高密度等離子源進(jìn)行各向同性蝕刻(isotropic etching),;
2. ICP等離子源,,2KW射頻電源及調(diào)諧器;
3. 低溫基底冷卻(Cryogenic substrate cooling),;
4. 終點(diǎn)探測(cè)(End point detection) ,;
5. 蘭繆爾探針;
6. 靜電卡盤(Electrostatic chuck),;
7. 附加MFC’s,;
8. 1KW射頻電流源及調(diào)諧器;
9. 低頻電流源及調(diào)諧器,;
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