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WD4000半導(dǎo)體晶圓幾何表面形貌檢測設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer,、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確,。它通過非接觸測量,，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,，TTV,，BOW,、WARP,、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。
WD4000半導(dǎo)體晶圓幾何表面形貌檢測設(shè)備可廣泛應(yīng)用于襯底制造,、晶圓制造,、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件,、光學(xué)加工,、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè),?？蓽y各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面,，從納米到微米級別工件的厚度,、粗糙度、平整度,、微觀幾何輪廓,、曲率等，實現(xiàn)砷化鎵,、氮化鎵,、磷化鎵、鍺,、磷化銦,、鈮酸鋰、藍(lán)寶石,、硅,、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測,。
測量功能
1,、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化),、LTV,、BOW、WARP,、TIR,、SORI,、平面度、等,；
2,、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度,、微觀幾何輪廓,、面積、體積等,。
3,、提供調(diào)整位置、糾正,、濾波,、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平,、鏡像等功能,；糾正包括空間濾波、修描,、尖峰去噪等功能,；濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波,、過濾頻譜等功能,；提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。
4,、提供幾何輪廓分析,、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析,、頻率分析,、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高,、距離,、角度、曲率等特征測量和直線度,、圓度形位公差評定等,；粗糙度分析包括國際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度,、ISO12781平整度等全參數(shù),；結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。
產(chǎn)品優(yōu)勢
1,、非接觸厚度,、三維維納形貌一體測量
半導(dǎo)體晶圓幾何表面形貌檢測設(shè)備集成厚度測量模組和三維形貌,、粗糙度測量模組，使用一臺機(jī)器便可完成厚度,、TTV,、LTV、BOW,、WARP,、粗糙度,、及三維形貌的測量,。
2、高精度厚度測量技術(shù)
（1）采用高分辨率光譜共焦對射技術(shù)對Wafer進(jìn)行高效掃描,。
（2）搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,，晶圓規(guī)格可支持至12寸。
（3）采用Mapping跟隨技術(shù),，可編程包含多點,、線、面的自動測量,。
3,、高精度三維形貌測量技術(shù)
（1）采用光學(xué)白光干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,，Z向分辨率高可到0.1nm,；
（2）隔振設(shè)計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲，獲得高測量重復(fù)性,。
（3）機(jī)器視覺技術(shù)檢測圖像Mark點,，虛擬夾具擺正樣品，可對多點形貌進(jìn)行自動化連續(xù)測量,。
4,、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺
（1）大行程龍門結(jié)構(gòu)(400x400x75mm)，移動速度500mm/s,。
（2）高精度花崗巖基座和橫梁,，整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、可靠,。
（3）關(guān)鍵運動機(jī)構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引,、AC伺服直驅(qū)電機(jī)驅(qū)動，搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),，保證設(shè)備的高精度,、高效率。
5,、操作簡單,、輕松無憂
（1）集成XYZ三個方向位移調(diào)整功能的操縱手柄,，可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準(zhǔn)工作,。
（2）具備雙重防撞設(shè)計,，避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。
（3）具備電動物鏡切換功能,，讓觀察變得快速和簡單,。
應(yīng)用場景
1、無圖晶圓厚度,、翹曲度的測量
通過非接觸測量，將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,、粗糙度、總體厚度變化(TTV),，有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性,。
2、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像,，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量,。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片，細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近,，以25次測量數(shù)據(jù)計算重復(fù)性為0.046987nm,，測量穩(wěn)定性良好。
部分技術(shù)規(guī)格
| 品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
| 型號 | WD4000系列 |
| 測量參數(shù) | 厚度,、TTV(總體厚度變化),、BOW、WARP,、LTV,、粗糙度等 |
| 可測材料 | 砷化鎵、氮化鎵,、磷化鎵,、鍺、磷化銦,、 鈮酸鋰,、藍(lán)寶石、硅,、碳化硅,、氮化鎵、玻璃,、外延材料等 |
| 厚度和翹曲度測量系統(tǒng) | |
| 可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
| 測量范圍 | 150μm~2000μm |
| 掃描方式 | Fullmap面掃,、米字,、自由多點 |
| 測量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變 化),、LTV,、BOW、WARP,、平面度,、線粗糙度 |
| 三維顯微形貌測量系統(tǒng) | |
| 測量原理 | 白光干涉 |
| 干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X,、20X,、50X,可選多個) |
| 可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
| 粗糙度RMS重復(fù)性 | 0.005nm |
| 測量參數(shù) | 顯微形貌 、線/面粗糙度,、空間頻率等三大類300余種參數(shù) |
| 膜厚測量系統(tǒng) | |
| 測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
| 景深 | 1200um |
| 最小可測厚度 | 0.4um |
| 紅外干涉測量系統(tǒng) | |
| 光源 | SLED |
| 測量范圍 | 37-1850um |
| 晶圓尺寸 | 4",、6",、8",、12" |
| 晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
| X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
懇請注意：因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,，恕不另行通知,，不便之處敬請諒解。
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