退火爐是用于制造半導(dǎo)體元件的制程方法,。該制程包括加熱多個(gè)半導(dǎo)體晶片以影響其電性能,。熱處理旨在達(dá)到不同的效果??梢约訜峋约せ顡诫s劑,,使沉積的膜至密化,并改變生長(zhǎng)的膜的狀態(tài),。暴露在高溫下可以修復(fù)損壞,。該過(guò)程稱為退火。 爐子退火可以集成到其他爐子處理步驟中,,例如氧化,,也可以單獨(dú)處理。
退火爐技術(shù)參數(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
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