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HTR-4立式4寸快速退火爐

2024-08-12

產(chǎn)      地:
北京
所在地區(qū):
北京北京市
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HTR-4立式4寸快速退火爐

                                             

快速退火爐.jpg


HTR-4立式4寸快速退火爐(芯片熱處理設(shè)備)廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓,、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn),,和歐姆接觸快速合金,、離子注入退火,、氧化物生長、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中,,通過快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,,技術(shù)指標(biāo)高,、工藝復(fù)雜,、專用性強(qiáng)。

主要應(yīng)用領(lǐng)域:

1.快速熱處理(RTP),,快速退火(RTA),,快速熱氧化(RTO),,快速熱氮化(RTN)

2.離子注入/接觸退火,;

3.金屬合金,;

4.熱氧化處理,;

5.化合物合金(砷化鎵、氮化物等),;

6.多晶硅退火,;

7.太陽能電池片退火,;

8.高溫退火;

9.高溫擴(kuò)散,。

產(chǎn)品特點(diǎn):

·         可測大尺寸樣品:可測單晶片樣品的尺寸為4英寸。

·         壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計(jì):高精度控制壓力,,以滿足不同的工藝要求,。

·         存儲熱處理工藝:方便工藝參數(shù)調(diào)取,提高實(shí)驗(yàn)效率,,數(shù)據(jù)可查詢。

·         快速控溫與高真空:升溫速率可達(dá)150/s,,真空度可達(dá)到10-5Pa

·         程序設(shè)定與氣路擴(kuò)展:可實(shí)現(xiàn)不同溫度段的控制,,進(jìn)行降溫段的自動轉(zhuǎn)接,,并能夠?qū)に嚥藛芜M(jìn)行保存,方便調(diào)用,。采用MFC控制氣體流量,,實(shí)現(xiàn)不同氣氛環(huán)境(真空、氮?dú)獾龋┫碌臒崽幚怼?/span>

·         腔體空間設(shè)計(jì):保證大尺寸樣品的溫場均勻性 ≤1%,。

·         全自動智能控制:采用全自動智能控制,包括溫度,、時間、氣體流量,、真空,、冷卻水等均可實(shí)現(xiàn)自動控制。

·         超高安全系數(shù):采用爐門安全溫度開啟保護(hù),、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施,保障設(shè)備使用安全,。

·        

·         主要技術(shù)參數(shù):

最大樣品尺寸

4英寸(直徑100mm

控溫范圍

RT~1200

升溫速率(max

150/s

高溫段降溫速率(max

1200/min

控溫精度

±0.5

溫場均勻性

≤1%

氣體流量

標(biāo)配1MFC控制(氮?dú)猓┛蓴U(kuò)展至4

壓力控制

~1bar,,±100Pa

工藝條件

支持真空、氧化,、還原、惰性氣體等工藝氣氛,,一鍵設(shè)置通過軟件控制真空及通氣時間

·        



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