晶圓是半導體制造的核心基材，所有集成電路（IC）均構建于晶圓之上,，其質量直接決定芯片性能,、功耗和可靠性,，是摩爾定律持續(xù)推進的物質基礎。其中晶圓的厚度（THK）,、翹曲度（Warp） 和彎曲度（Bow） 是直接影響工藝穩(wěn)定性和芯片良率的關鍵參數(shù)：

1,、厚度（THK） 是工藝兼容性的基礎，需通過精密切割與研磨實現(xiàn)全局均勻性,。

2,、翹曲度（Warp） 反映晶圓整體應力分布，直接影響光刻和工藝穩(wěn)定性,，需通過退火優(yōu)化和應力平衡技術控制,。

3、彎曲度（Bow） 源于材料與工藝的對稱性缺陷,，對多層堆疊和封裝尤為敏感,，需在晶體生長和鍍膜工藝中嚴格調控。

在先進制程中,，三者共同決定了晶圓的幾何完整性,，是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)在線檢測,，可減少其對芯片性能的影響,。

WD4000晶圓幾何量測系統(tǒng)適用于裸晶圓、圖案晶圓,、鍵合晶圓,、貼膜晶圓、超薄晶圓等復雜結構晶圓的量測應用,。

（1）搭配中圖全自主研發(fā)的EFEM系統(tǒng),，可以適配loadport,、smifport,、carrier等多種形式，實現(xiàn)全自動上下料,，實現(xiàn)在單系統(tǒng)內完成晶圓厚度,、平坦度、粗糙度,、膜厚等面型參數(shù)的高精度測量,。

（2）系統(tǒng)覆蓋襯底切磨拋，光刻/蝕刻后翹曲度檢測,，背面減薄厚度監(jiān)測等關鍵工藝環(huán)節(jié),。

晶圓作為半導體工業(yè)的“地基”，其高純度,、單晶結構和大尺寸等特點,，支撐了芯片的高性能與低成本制造,。其戰(zhàn)略價值不僅體現(xiàn)在技術壁壘和產(chǎn)業(yè)核心地位，更在于推動全球電子設備小型化,、智能化及新興領域（如AI,、自動駕駛）的發(fā)展。晶圓技術的持續(xù)創(chuàng)新,，是半導體行業(yè)進步的核心驅動力之一,。