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正電子湮沒技術(shù)揭示無定形二氧化硅的分子篩結(jié)構(gòu)

來源:安徽核芯電子科技有限公司   2025年05月12日 10:17  

正電子湮沒技術(shù)揭示無定形二氧化硅的分子篩結(jié)構(gòu)

   二氧化硅材料因其獨(dú)te的多孔特性,,在氣體分離和催化領(lǐng)域扮演重要角色,。傳統(tǒng)研究認(rèn)為,,通過溶膠-凝膠法合成的無定形二氧化硅可形成微小孔隙(3埃左右),,展現(xiàn)出“分子篩”效應(yīng),,即僅允許氫氣,、氦氣等小分子通過。然而,,這些孔隙因尺寸過?。ㄐ∮诘?dú)夥肿拥?/span>3.6埃),常規(guī)氮?dú)馕椒y以精確檢測(cè),,導(dǎo)致其結(jié)構(gòu)長(zhǎng)期未被清晰解析,。

   早期研究依賴氣體滲透法推測(cè)孔隙尺寸,但需復(fù)雜步驟制備完整薄膜,,且數(shù)據(jù)易受材料缺陷干擾,。而氮?dú)馕椒m廣泛應(yīng)用,,卻無法檢測(cè)小于3.6埃的孔隙。如何實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)孔隙的快速,、無損表征,,成為材料優(yōu)化的重要瓶頸。

   澳大利亞與美,、荷研究團(tuán)隊(duì)于2008年在《Advance Function Material》提出新方法:利用正電子湮沒壽命譜技術(shù)(PALS,,直接測(cè)量二氧化硅內(nèi)部的孔隙結(jié)構(gòu)。當(dāng)正電子注入材料后,,會(huì)被孔隙捕獲并停留更長(zhǎng)時(shí)間,,通過記錄這些“湮沒壽命”可反推孔隙尺寸。結(jié)合氣體滲透實(shí)驗(yàn),,首ci驗(yàn)證了無定形二氧化硅的三重孔隙結(jié)構(gòu):關(guān)鍵篩分孔(約3埃),、次生孔(約8埃)及大孔(約12埃)。例如,,高溫處理(600°C)使關(guān)鍵孔隙從2.1埃膨脹至3.4埃,,與氣體滲透測(cè)試的分子截留閾值一致。


正電子湮沒技術(shù)揭示無定形二氧化硅的分子篩結(jié)構(gòu)


   研究發(fā)現(xiàn),,二氧化硅內(nèi)部孔隙的連通性直接決定氣體分離性能,。通過調(diào)整合成配方(如SG2型材料),關(guān)鍵孔隙縮小至2.2埃,,氫氣與二氧化碳的分離選擇性顯著提升至8.7倍,。更關(guān)鍵的是,PALS技術(shù)還揭示了材料在高溫下的“熱膨脹”機(jī)制——隨硅氧烷網(wǎng)絡(luò)形成,,孔隙逐漸擴(kuò)大,。這一結(jié)果解釋了長(zhǎng)期觀察到的二氧化硅熱處理效應(yīng),并為材料穩(wěn)定性優(yōu)化提供了理論依據(jù),。


正電子湮沒技術(shù)揭示無定形二氧化硅的分子篩結(jié)構(gòu)


   該技術(shù)突破了傳統(tǒng)表征的局限,,為二氧化硅分子篩的定制化設(shè)計(jì)打開新路徑。例如,,碳模板的引入可強(qiáng)化大孔隔離,,兼顧選擇性與耐水性;而不同溶膠配方的調(diào)整,,則可針對(duì)特定氣體(如氫氣或二氧化碳)優(yōu)化分離效率,。未來,此方法有望延伸至催化劑載體設(shè)計(jì),、藥物緩釋材料開發(fā)等領(lǐng)域,,推動(dòng)納米多孔材料的結(jié)構(gòu)-性能關(guān)聯(lián)研究。

   安徽核芯電子科技有限公司的DPLS-4000數(shù)字化正電子湮沒壽命譜儀,可復(fù)現(xiàn)上述研究的核心實(shí)驗(yàn):其時(shí)間分辨率達(dá)190皮秒,,一鍵操作實(shí)現(xiàn)從0.5100納米孔隙的無損檢測(cè),,適用于高校與企業(yè)研發(fā)。此外,,DPLS-4000 F型號(hào)專為薄膜材料設(shè)計(jì),,支持微米級(jí)厚度樣品的表征,為新材料開發(fā)提供高效工具,。

   正電子湮沒技術(shù)為分子篩材料的微觀解析提供了新視角,,將經(jīng)驗(yàn)性制備升級(jí)為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向的精準(zhǔn)設(shè)計(jì)。這場(chǎng)“窺見孔隙本質(zhì)”的技術(shù)革命,,不僅深化了學(xué)界對(duì)二氧化硅的理解,,更為清潔能源與工業(yè)分離技術(shù)的革新奠定了基礎(chǔ)。



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