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超薄 TEM 制樣新范式|Gentle Mill 離子精修儀賦能優(yōu)質(zhì)數(shù)據(jù)

來(lái)源:復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司   2025年04月08日 13:56  

在材料科學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域,,精確制備高質(zhì)量的透射電子顯微鏡(TEM)和掃描透射電子顯微鏡(STEM)樣品是實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨率成像和分析的關(guān)鍵。Technoorg Linda 公司生產(chǎn)的 Gentle Mill 離子精修儀以低能量離子束技術(shù),為科研人員提供了一種高效,、清潔的樣品精修解決方案,廣泛應(yīng)用于各種材料的微觀結(jié)構(gòu)和性能研究,。本文精選了 11 篇使用 Gentle Mill 離子精修儀發(fā)表的文獻(xiàn)期刊(排名不分先后),,展示了該設(shè)備在材料科學(xué)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用和顯著成就。

 

01. 鈣釕氧化物超薄膜中異常尺寸效應(yīng)的增強(qiáng)

 

關(guān)鍵詞:超常尺寸效應(yīng),,超薄膜,,CaRuO3

 

發(fā)表文章:Enhancement of Extraordinary Size Effect on CaRuO3 Ultrathin Films

發(fā)表期刊:ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS

使用儀器型號(hào):Technoorg Linda Gentle Mill 離子精修儀

 

 

研究人員利用 Gentle Mill 離子精修儀制備了超薄,、清潔的鈣釕化物樣品,并通過(guò)原子分辨率的 STEM 觀察,,深入探究了其異常尺寸效應(yīng)的增強(qiáng)現(xiàn)象,。該研究借助 Gentle Mill 的低能量 Ar 離子束(0.3–1 keV)對(duì)樣品進(jìn)行精修,,成功去除了樣品表面的損傷層,,為后續(xù)的高分辨率成像提供了高質(zhì)量的樣品,。

 

02. 通過(guò) STEM 進(jìn)行 InGaN 的成分 mapping 分析

 

關(guān)鍵詞:定量 STEM 分析,成分確定,,多層切片模擬,,冷凍晶格模擬

 

 

發(fā)表文章:Composition mapping in InGaN by scanning transmission electron microscopy

發(fā)表期刊:Ultramicroscopy

使用儀器型號(hào):Technoorg Linda Gentle Mill 離子精修儀

 

 

 

研究人員使用 Gentle Mill 離子精修儀制備了清潔的 InGaN 樣品,,并通過(guò)原子分辨率觀察,,探索了一種使用定量 STEM 成像進(jìn)行 In 濃度 mapping 分析的方法。Gentle Mill 在該研究中用于去除樣品表面的損傷區(qū)域,確保了樣品的高質(zhì)量和分析結(jié)果的可靠性,。

 

03. 銦摻雜氧化鋅反轉(zhuǎn)疇內(nèi)金屬亞晶格位移場(chǎng)測(cè)量

 

關(guān)鍵詞:球差校正電鏡,位移場(chǎng),,摻雜化合物

 

 

發(fā)表文章:Displacement field measurement of metal sub-lattice in inversion domains of indium-doped zinc oxide

發(fā)表期刊:Ultramicroscopy

使用儀器型號(hào):Technoorg Linda Gentle Mill 離子精修儀

 

 

研究人員借助 Gentle Mill 離子精修儀制備了超薄,、清潔的非均相氧化物樣品,,并對(duì)其金屬內(nèi)亞晶格位移場(chǎng)進(jìn)行了測(cè)量,。該研究中,,Gentle Mill 利用低電壓離子束(1 keV Ar+離子)對(duì)樣品進(jìn)行雙面精修,,確保了樣品的超薄厚度和高質(zhì)量,,為后續(xù)的高分辨率成像和分析提供了有力支持,。

 

04. 使用低電壓進(jìn)行原子尺度的元素 mapping

 

關(guān)鍵詞:EELS,高分辨 mapping,,STEM,,多層切片計(jì)算

 

 

發(fā)表文章:Elemental mapping at the atomic scale using low accelerating voltages

發(fā)表期刊:Ultramicroscopy

使用儀器型號(hào):Technoorg Linda Gentle Mill 離子精修儀

 

 

研究人員使用 Gentle Mill 離子精修儀制備了超薄、清潔的 SrTiO3(STO)樣品,,并通過(guò) EELS 技術(shù)對(duì)其進(jìn)行了原子尺度的元素 mapping 分析,。Gentle Mill 在該研究中用于對(duì)樣品進(jìn)行最終的離子束拋光,確保了樣品的高質(zhì)量和分析結(jié)果的精確性,。

 

05. 碳含量對(duì)奧氏體/ε-馬氏體雙相 Fe-Mn-C 鋼的微結(jié)構(gòu),、馬氏體轉(zhuǎn)變和力學(xué)性能的影響

 

關(guān)鍵詞高錳鋼,變形誘導(dǎo)的馬氏體,,TEM,,EBSD

 

 

發(fā)表文章:Influence of carbon content on the microstructure,martensitic transformation and mechanical properties in austenite/e-martensite dual-phase Fe–Mn–C steels

發(fā)表期刊:Acta Materialia

使用儀器型號(hào):Technoorg Linda Gentle Mill 離子精修儀

 

 

研究人員借助 Gentle Mill 離子精修儀清除了鋼鐵FIB 樣品上的 Ga 離子污染,從而對(duì)其結(jié)構(gòu),、相變和性能進(jìn)行了準(zhǔn)確,、可靠的研究。該研究中,,Gentle Mill 利用低能量離子束(0.5 kV)對(duì)樣品表面進(jìn)行了精修,,有效去除了 FIB 加工過(guò)程中產(chǎn)生的 Ga 離子污染,為后續(xù)的高分辨率成像和分析提供了清潔的樣品,。

 

06. 使用 STEM 進(jìn)行皮米精度的局域晶體結(jié)構(gòu)分析

 

關(guān)鍵詞:STEM,,晶體結(jié)構(gòu)分析,環(huán)形暗場(chǎng)像

 

 

發(fā)表文章:Local crystal structure analysis with several picometer precision using scanning transmission electron microscopy

發(fā)表期刊:Ultramicroscopy

使用儀器型號(hào):Technoorg Linda Gentle Mill 離子精修儀

 

 

研究人員利用 Gentle Mill 離子精修儀制備了超薄的 TmFeO3 樣品,并對(duì)其局域晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了皮米精度的分析,。Gentle Mill 在該研究中用于對(duì)樣品進(jìn)行機(jī)械減薄和低電壓離子束精修,,確保了樣品的超薄厚度和高質(zhì)量,為后續(xù)的高分辨率 STEM 分析提供了有力支持,。

 

07. Sm 摻雜 BiFeO3 鐵電外延薄膜中反極性團(tuán)簇的納米級(jí)結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)

 

關(guān)鍵詞:納米結(jié)構(gòu),,反極性團(tuán)簇,鐵電薄膜

 

 

發(fā)表文章:Nanoscale Structural and Chemical Properties of Antipolar Clusters in Sm-Doped BiFeO3 Ferroelectric Epitaxial Thin Films

發(fā)表期刊:CHEMISTRY OFMATERIALS

使用儀器型號(hào):Technoorg Linda Gentle Mill 離子精修儀

 

 

研究人員借助 Gentle Mill 離子精修儀制備了清潔的摻雜 BiFeO3 外延薄膜,,從而研究了其納米級(jí)結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì),。Gentle Mill 在該研究中用于對(duì)樣品進(jìn)行雙面精修,確保了樣品的清潔度和高質(zhì)量,,為后續(xù)的高分辨率 STEM 分析提供了有力支持,。

 

08. 為透射電鏡開(kāi)發(fā)的單色器的實(shí)踐工作

 

關(guān)鍵詞:?jiǎn)紊鳎珽ELS,,空間分辨率

 

 

發(fā)表文章:Practical aspects of monochromators developed for transmission electron microscopy

發(fā)表期刊:Microscopy

使用儀器型號(hào):Technoorg Linda Gentle Mill 離子精修儀

 

 

借助 Gentle Mill 離子精修儀,,研究人員可以制備清潔的 STO 樣品,從而檢驗(yàn)透射電鏡單色器的實(shí)際效果,。

 

09. 探索實(shí)空間中原子內(nèi)部電荷密度分布

 

關(guān)鍵詞球差矯正STEM,,DPC,電場(chǎng)像,,GaN

 

 

發(fā)表文章:Probing the Internal Atomic Charge Density Distributions in Real Space

發(fā)表期刊:ACS Nano

使用儀器型號(hào):Technoorg Linda Gentle Mill 離子精修儀

 

 

研究人員利用 Gentle Mill 離子精修儀制備了超薄,、清潔的 GaN 樣品,并探索了其內(nèi)部的電荷密度分布,。Gentle Mill 在該研究中用于對(duì)樣品進(jìn)行離子束精修,,確保了樣品的高質(zhì)量和分析結(jié)果的可靠性。

 

10. 平衡態(tài) Ni–Al2O3 界面處固-固界面重構(gòu)

 

關(guān)鍵詞:界面能,,界面結(jié)構(gòu),,TEM,重構(gòu)

 

 

發(fā)表文章:Solid–solid interface reconstruction at equilibrated Ni–Al2O3 interfaces

發(fā)表期刊:Acta Materialia

使用儀器型號(hào):Technoorg Linda Gentle Mill 離子精修儀

 

 

科學(xué)家們借助 Gentle Mill 離子精修儀制備了超薄,、清潔的 Ni–Al2O樣品,,并研究了其固-固界面的重構(gòu)行為。Gentle Mill 在該研究中用于對(duì)樣品進(jìn)行低電壓離子拋光,,確保了樣品的高質(zhì)量和分析結(jié)果的可靠性,。

 

11. 關(guān)聯(lián) APT 和 STEM 研究揭示了含 Al 和 Gd 的 Mg 合金中 LPSO 相的生長(zhǎng)序列

 

關(guān)鍵詞:APT,關(guān)聯(lián)成像,,Mg合金,,長(zhǎng)程堆疊有序(LPSO)

 

 

發(fā)表文章:Correlative atom probe tomography and scanning transmission electron microscopy reveal growth sequence of LPSO phase in Mg alloy containing Al and Gd

發(fā)表期刊:Scientific Reports

使用儀器型號(hào):Technoorg Linda Gentle Mill 離子精修儀

 

 

研究人員利用 Gentle Mill 離子精修儀去除 TEM/STEM 觀察時(shí)的污染物,制備了清潔的 Mg 合金針尖,,并進(jìn)行了關(guān)聯(lián)的 APT 研究,,從而揭示了其生長(zhǎng)序列,。Gentle Mill 在該研究中用于對(duì)樣品進(jìn)行低能量離子束精修,確保了樣品的清潔度和高質(zhì)量,,為后續(xù)的高分辨率成像和分析提供了有力支持。

 

Technoorg Linda 公司生產(chǎn)的 Gentle Mill 離子精修儀憑借其低能量離子束技術(shù)和高效精修能力,,已成為材料科學(xué)領(lǐng)域的工具,。通過(guò)上述 11 篇文獻(xiàn)的精選,我們可以看到 Gentle Mill 在多種材料的微觀結(jié)構(gòu)和性能研究中發(fā)揮了重要作用,,為科學(xué)家們提供了高質(zhì)量,、清潔的樣品,助力他們?cè)谠蛹?jí)分辨率下實(shí)現(xiàn)精確的成像和分析,。無(wú)論是在金屬氧化物,、半導(dǎo)體材料還是合金體系中,Gentle Mill 都展現(xiàn)出了性能和可靠性,,為材料科學(xué)的前沿研究提供了有力支持,。

 

Gentle Mill 離子精修儀--用于FIB樣品處理

 

Gentle Mill 離子精修儀產(chǎn)品采用氬離子束,專(zhuān)為最終拋光,、精修和改善 FIB 處理后的樣品而設(shè)計(jì),。Gentle Mill 型號(hào)非常適合要求樣品無(wú)加工痕跡、表面幾乎沒(méi)有任何損壞的 XTEM,、HRTEM 或 STEM 的用戶(hù),。其配備了專(zhuān)業(yè)的低能氬離子槍?zhuān)x子束能量低至 100eV,可把非晶層厚度精修到 1nm 以下,,獲得樣品的真實(shí)信息,。

 



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