分析的樣品來自一個M4 CPU（計算機的中央處理單元）,，其中包含嵌入在硅（Si）基體中的金（Au）線和鎢（W）（參見圖1a）,，以及由鋁（Al）、金剛石和石墨（C）組成的復合材料（參見圖1b） ^[6],。使用以下描述的方法制備了這些材料的橫截面,。

圖1：a) 從中獲取CPU樣品的PCBA（印刷電路板組裝件）。b) 使用掃描電子顯微鏡（SEM）通過二次電子發(fā)射拍攝的Al/金剛石/C材料表面的概覽圖像,。

樣品橫截面首先通過鋸切,、機械研磨、磨削和拋光進行制備,，這些步驟在EM TXP（參見圖2a）上進行,，以便在極短的時間內(nèi)到達感興趣的區(qū)域 ^[5]。然后,，使用EM TIC 3X（參見圖2b）進行寬離子束研磨,，以獲得一個高質(zhì)量的橫截面表面，該表面已準備好進行EBSD分析 ^[6,7],。

圖2：a) 為了到達感興趣的區(qū)域,，首先使用EM TXP進行基礎橫截面切割，持續(xù)20分鐘,。b) 然后,，為了獲得高質(zhì)量的橫截面表面,，使用EM TIC 3X進行了寬離子束研磨；金線的制備需要3小時,，而鋁/金剛石/碳材料的制備需要6小時,。

使用ARGUS FSE/BSE（前向/背散射電子）系統(tǒng)對樣品橫截面進行SEM成像和EBSD分析。

EBSD分析僅針對CPU的Au線中高度變形的區(qū)域進行（參見圖3a）,。FSE圖像顯示存在一定的簾幕效應,，但是，地圖數(shù)據(jù)（特別是EDS超圖和平均錯位和核映射）均未顯示任何可察覺的簾幕效應,，即沒有遵循簾幕效應的結構（請參見下面的圖3）,。因此，地圖數(shù)據(jù)表明,，寬離子束研磨能夠制備出高質(zhì)量的橫截面表面,，因為它沒有造成明顯的亞表面損傷。

圖3：a) 處理器的XRF（X射線熒光）分析,，其中高度變形的Au線相關感興趣區(qū)域以紅色突出顯示,。b) 感興趣Au線區(qū)域的BSE圖像和來自不同區(qū)域的EBSD圖案，從上到下：Si,、W,、更變形的Au和較少變形的Au。c) ARGUS彩色編碼FSE圖像,，顯示一定程度的簾幕效應,，方向以黃色突出顯示。d) 同時進行的EBSD/EDS分析的EDS HyperMap,。e) EBSD晶粒尺寸分布圖（Au的索引率為98%）,。f) 顯示應變局部化的平均錯位映射。g) 錯位核映射,。

使用BSE成像,、EDS（能量色散X射線光譜）和EBSD，沿X軸進行相和逆極圖（IPF）映射,，檢查了Al/金剛石/C復合材料的橫截面,。結果表明，鋁基體,、石墨片和金剛石顆粒的表面制備質(zhì)量很高,，沒有明顯的窗簾效應（請參見下面的圖4）。

圖4：a) 使用TXP和TIC 3X制備后的ARGUS FSE/BSE圖像,。b) 金剛石、c) Al和d) 石墨相的EBSD模式,。e) 顯示制備表面總大小為3 mm的SEM圖像（使用二次電子拍攝）,。f) EBSD/EDS分析的圖案質(zhì)量映射,。g) EBSD相圖顯示了高索引率，即使在石墨片上也是如此,，其中石墨顯示為藍色,，金剛石顯示為紅色，Al顯示為綠色,。h) 對應的IPF-X / EBSD沿X軸的取向映射,。