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??霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率?σ的乘積,，即│RH│σ，具有遷移率的量綱,，故特別稱為霍爾遷移率,。? 表示為μH =│RH│σ,。?12
霍爾遷移率μH實(shí)際上不一定等于載流子的電導(dǎo)遷移率μ,，因?yàn)檩d流子的速度分布會影響到電導(dǎo)遷移率，所以只有在簡單情況（不考慮速度分布）下才有μH = μ,。
霍爾遷移率是測試射頻氮化鎵芯片使用,。“碳化硅的電子遷移率是900，碳化硅MOSFET的溝道遷移率是50,，體遷移率是1000” 看到這樣的介紹,，或許你非常疑惑，為什么同一種材料中有這么多的遷移率,？我們在聽講座或者看相關(guān)文獻(xiàn)的時(shí)候,，也經(jīng)常會遇到不同的遷移率：霍爾遷移率，漂移遷移率,，溝道遷移率,，體遷移率等等。這里,，就讓我來為大家具體分析一下這些不同的遷移率,。大體上來說，遷移率的概念可以分為三種：1. 最基礎(chǔ)的遷移率定義（microscopic mobility）; 2. 體材料里的遷移率（根據(jù)不同的測試方法得出不同的遷移率名稱）,； 3. 晶體管中的遷移率,。
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