XPS的探測深度在10nm以內(nèi),，然而對于實際的器件,，研究對象往往會超過10 nm的信息深度,，特別是在一些電氣設(shè)備中,，有源層總是被掩埋在較厚的電極之下,。因此,，利用XPS分析此類樣品,，需要結(jié)合離子刻蝕技術(shù),。顯然,，離子刻蝕存在擇優(yōu)濺射效應(yīng)，特別是對于金屬氧化物,，會破壞樣品原始的化學(xué)態(tài),，導(dǎo)致只憑常規(guī)XPS無法直接對埋層區(qū)域進(jìn)行無損深度分析。

好在研究表明增加X射線的光子能量可以增加探測深度,。對此,，ULVAC-PHI推出了實驗室HAXPES設(shè)備，且可同時配備微聚焦單色化Al Kα (1486.6 eV)源和單色化Cr Kα (5414.9 eV)源,。集成的SOXPS-HAXPES（軟/硬X射線光電子能譜相結(jié)合）儀器擁有直接分析采樣深度從1 nm到30 nm范圍內(nèi)的膜層結(jié)構(gòu)的能力,。

例如，本文中利用HAXPES（PHI Quantes）對以下器件的界面進(jìn)行了無損深度分析：

器件1：HEMT（高電子遷移率晶體管）,，結(jié)構(gòu)為Al (20 nm)/Ta (5 nm)/AlGaN (23 nm)/GaN,，其中Al/Ta雙層的作用是在退火時促進(jìn)與AlGaN源極/漏極的歐姆接觸。目標(biāo)分析區(qū)域：Al/Ta /AlGaN界面,。

圖1 Al/Ta/AlGaN堆疊器件在不同退火處理后的HAXPES分析,。[1]

原始和歷經(jīng)2種不同退火工藝處理后的Al (20 nm)/Ta (5 nm)/AlGaN (23 nm)/GaN HEMT器件的HAXPES結(jié)果表明：①全譜中Ta和Ca的光電子特征峰證明了利用HAXPES可以直接探測埋層（~25 nm）信息；②原子百分比的變化表明退火后,，Ta和Ga會向上擴(kuò)散,；③Al 1s的峰位移表明了Al-Ta合金的形成，進(jìn)一步證明了退火后Ta的向上擴(kuò)散,。

器件2：OxRAM（氧化物基電阻式隨機(jī)存取存儲器）,，由Pt (5 nm)/Ti (5 nm)/HfO2 (10 nm)/TiN (35 nm)/Si堆疊組成,，在此類器件中，夾在2個金屬TiN和Pt/Ti電極之間的HfO2膜層的電阻率變化決定了存儲器的開/關(guān)狀態(tài),。目標(biāo)分析區(qū)域：Pt /Ti/HfO2 /TiN界面,。

圖2典型Pt/Ti/HfO2堆疊結(jié)構(gòu)的HAXPES全譜。插圖：分別在TOA為45°和90°時采集的Ti 2p,、Ti 1s和Hf 4f的高分辨芯能級譜圖,。[1]

圖2中Hf 3d特征峰的出現(xiàn)表明HAXPES已經(jīng)探測到Ti/HfO2界面。此外,，通過改變TOA,，將采樣深度從14 nm（TOA=45°）增至20 nm（TOA=90°），以實現(xiàn)對不同深度膜層的選擇性分析,。Ti 2p3/2中結(jié)合能為453 eV的峰對應(yīng)于金屬Ti,，而在TOA=90°時測量的譜圖中，在更高的結(jié)合能處有出峰,，表明可能在掩埋的Ti/HfO2 界面上存在Ti氧化物,。

表1  本案例中考慮的Cr Kα激發(fā)光電子的非彈性平均自由程值（IMFP）

值得注意的是，Cr Kα可以激發(fā)更深層能級,，同一元素不同原子軌道的光電子的非彈性平均自由程值（IMFP）不同（見表1）,，因此還可以直接通過檢測同一元素不同的芯能級，選擇性地對不同深度的結(jié)構(gòu)進(jìn)行無損深度分析,。比如,，利用HAXPES對80納米厚的TiN層的表面和體相化學(xué)成分進(jìn)行表征，結(jié)果如圖3所示,。由表1可知,，由于Ti 1s的IMFP遠(yuǎn)小于Ti 2p，二者的采樣深度差異較大,，可以展示出TiN樣品3種化學(xué)組分（TiO2,、TiOxNy和TiN）的不同含量。Ti 1s芯能級突出了表面高價態(tài)氧化物（TiO2,，占46%）的貢獻(xiàn),，反之，Ti 2p峰的突出了來自于體相的TiN層的貢獻(xiàn),。

圖3 高分辨的Cr Kα硬X射線光電子能譜：Ti 1s和Ti 2p,。二者3種化學(xué)組分含量的差異來源于分析深度的不同，Ti 2p峰的貢獻(xiàn)更多地來自于深處的TiN層,。

總之,，HAXPES在表面化學(xué)分析上具有突出的優(yōu)勢：①檢測更深芯能級的光電子譜峰，擴(kuò)展光電子能譜的信息；②移動俄歇峰,，避免其與特征峰的重疊,；③優(yōu)于常規(guī)XPS的分析深度，實現(xiàn)對埋層結(jié)構(gòu)的無損深度分析,。

ULVAC-PHI新推出的XPS設(shè)備---PHI GENESIS,，可同時搭載常規(guī)XPS（Al Kα）和HAXPES（Cr Kα），以及UPS,、LEIPS,、SAM（AES）等功能配件，打造了多方面高性能的電子結(jié)構(gòu)綜合分析平臺,。歡迎聯(lián)系我們,，了解更多詳情！

參考文獻(xiàn)

[1] Renault O, et al. Analysis of buried interfaces in multilayer device structures with hard XPS (HAXPES) using a CrKα source. Surf Interface Anal. 2018;50:1158–1162. DOI: 10.1002/sia.6451.