日韩av大片在线观看欧美成人不卡|午夜先锋看片|中国女人18毛片水多|免费xx高潮喷水|国产大片美女av|丰满老熟妇好大bbbbbbbbbbb|人妻上司四区|japanese人妻少妇乱中文|少妇做爰喷水高潮受不了|美女人妻被颜射的视频,亚洲国产精品久久艾草一,俄罗斯6一一11萝裸体自慰,午夜三级理论在线观看无码

產(chǎn)品推薦:氣相|液相|光譜|質(zhì)譜|電化學(xué)|元素分析|水分測定儀|樣品前處理|試驗機|培養(yǎng)箱


化工儀器網(wǎng)>技術(shù)中心>儀器文獻>正文

歡迎聯(lián)系我

有什么可以幫您,? 在線咨詢

什么是晶圓缺陷檢測設(shè)備?

來源:秋山科技(東莞)有限公司   2023年07月26日 17:34  

什么是晶圓缺陷檢測設(shè)備,?

晶圓缺陷檢測設(shè)備檢測晶圓上的異物和圖案缺陷,,并確定缺陷的位置坐標(X,Y),。
缺陷包括隨機缺陷和系統(tǒng)缺陷,。
隨機缺陷主要是由異物粘附等引起的。 因此,,無法預(yù)測它將在哪里發(fā)生,。 檢測晶圓上的缺陷并定位它們(位置坐標)是檢測設(shè)備的主要作用。
另一方面,,系統(tǒng)缺陷是由掩?;虮┞豆に嚄l件引起的,并且可能發(fā)生在所有轉(zhuǎn)移芯片的電路模式中的同一點,。
曝光條件非常困難,,并且它們發(fā)生在需要微調(diào)的地方。
晶圓缺陷檢測設(shè)備通過將圖像與附近芯片的電路模式進行比較來檢測缺陷,。 因此,,傳統(tǒng)的晶圓缺陷檢測設(shè)備可能無法檢測到系統(tǒng)缺陷。
可以在圖案化工藝晶圓或鏡面晶圓上進行檢測,。 對于它們中的每一個,,設(shè)備的配置都是不同的。 典型的檢測設(shè)備如下所述。

缺陷檢測原理

圖案化晶圓檢測系統(tǒng)

圖案化晶圓檢測設(shè)備包括SEM檢測設(shè)備,、明場檢測設(shè)備和暗場檢測設(shè)備,。 它們各有各的特點,但基本的缺陷檢測原理是相同的,。
半導(dǎo)體
晶圓與具有相同圖案的電子設(shè)備并排制造。
隨機缺陷通常是由異物等碎屑引起的,,顧名思義,,它們發(fā)生在
晶圓上未定的(隨機)位置。 在特定位置重復(fù)發(fā)生的概率被認為非常低,。 因此,,缺陷檢測設(shè)備通過比較相鄰芯片(也稱為芯片)的圖案圖像并取差異來檢測缺陷。

圖案化晶圓缺陷檢測原理
圖5-1 圖案化晶圓缺陷檢測原理

圖5-1說明了圖案化晶圓上的缺陷檢測原理,。
電子束和光沿
芯片陣列捕獲晶圓上圖案的圖像,。 為了使缺陷檢查裝置檢測缺陷,請將要檢查的模具的圖像(1)與相鄰模具(2)的圖像進行比較,。
當(dāng)圖像經(jīng)過數(shù)字處理和減去時,,如果根本沒有缺陷,則減法為“0”,,未檢測到缺陷,。 另一方面,如圖所示,,在減去(2)中的
模具圖像有缺陷后,,缺陷的圖像保留在差分圖像(3)中。 然后,,缺陷檢查器檢測到缺陷,,并將其與其位置坐標進行登記。

無圖案晶圓檢測系統(tǒng)

無圖案圓檢測系統(tǒng)設(shè)計用于晶圓制造商的晶圓出貨檢驗,、設(shè)備制造商的晶圓驗收檢驗以及設(shè)備清潔度監(jiān)測,。它用于設(shè)備狀態(tài)檢查等。 設(shè)備狀況檢查還用于設(shè)備制造商的運輸檢查和設(shè)備制造商在交付設(shè)備時的驗收檢查,。
將用于清潔監(jiān)測的鏡面晶片裝入制造設(shè)備,,在設(shè)備中移動載物臺后,監(jiān)測異物程度并檢查設(shè)備的清潔度,。

ベアウェーハの欠陥検出の原理(1):ウェーハ上全面にレーザービームを照射
圖5-2 無圖案晶圓缺陷檢測原理(1)

圖5-2顯示了無圖案晶圓的缺陷檢測原理,。
在沒有圖案的情況下,直接檢測缺陷,,無需任何特定的圖像比較,。
激光束照射在旋轉(zhuǎn)晶
上并沿徑向移動(相對)以照射晶片的整個表面。

ベアウェーハの欠陥検出の原理(2):レーザー光線が異物/欠陥に當(dāng)たって生じる散亂光を検出器が検出
圖5-3 無圖案晶圓缺陷檢測原理(2)

當(dāng)晶圓旋轉(zhuǎn)并且激光束擊中異物/缺陷時,光被散射,,散射光被檢測器檢測到,。 這將檢測異物/缺陷。 根據(jù)晶圓的旋轉(zhuǎn)角度和激光束的徑向位置,,確定并記錄異物/缺陷的坐標位置,。
面晶圓上的缺陷不僅是異物,還有COP等晶體缺陷,。

一般來說,,明場檢測設(shè)備適用于圖案缺陷的詳細檢測,而暗場檢測設(shè)備可以高速檢測,,適用于許多晶圓的缺陷檢測,。

SEM視覺檢測設(shè)備在晶圓表面上照射電子束,以檢測發(fā)射的二次電子和背散射電子,。
SEM視覺檢查系統(tǒng)還檢測以圖像對比度(電壓對比度)形式發(fā)射的二次電子量,,該量根據(jù)設(shè)備內(nèi)部布線的傳導(dǎo)狀態(tài)而變化。 當(dāng)檢測高縱橫比接觸孔底部的連續(xù)性條件時,,可以檢測到超薄的SiO2殘留物,。

コンタクトホール底の殘さ検出例
圖5-4 接觸孔底部殘留物檢測示例

產(chǎn)品介紹

介紹我們的缺陷審查SEM和晶圓檢測設(shè)備陣容。

電子鏡面檢測系統(tǒng) 米瑞利斯VM1000

Mirelis VM1000電子米勒可無損檢測晶體缺陷,,例如SiC塊晶圓上的加工損壞以及外延晶片上的層壓缺陷和基底面位錯,。

晶圓表面檢測系統(tǒng)LS系列

下一代晶圓表面檢測系統(tǒng),以高靈敏度檢測無圖案晶圓上的微小污染物和缺陷

暗場晶圓缺陷檢測系統(tǒng) DI4200

通過高靈敏度檢測和高通量檢測實現(xiàn)高速產(chǎn)品監(jiān)控,。 這是有助于提高良率和降低生產(chǎn)成本的下一代暗場晶圓缺陷檢測系統(tǒng),。



免責(zé)聲明

  • 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載,、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任,。
  • 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責(zé),,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體,、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負版權(quán)等法律責(zé)任。
  • 如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)等問題,,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利,。
企業(yè)未開通此功能
詳詢客服 : 0571-87858618