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小型濺射儀的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下,，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子,；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,，并以高能量轟擊靶表面,，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移,，簡(jiǎn)稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似一條擺線,。
若為環(huán)形磁場(chǎng),，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng),，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar來(lái)轟擊靶材,，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,，二次電子的能量消耗殆盡,，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下沉積在基片上,。由于該電子的能量很低,，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低,。
小型濺射儀包括：氣路,、真空系統(tǒng)、循環(huán)水冷卻系統(tǒng),、控制系統(tǒng),。其中：
(1)氣路系統(tǒng)：與PECVD系統(tǒng)類似，磁控濺射系統(tǒng)應(yīng)包括一套完整的氣路系統(tǒng),。但是,，與PECVD系統(tǒng)不同的是，PECVD系統(tǒng)中,，氣路中為反應(yīng)氣體的通道,。而磁控濺射系統(tǒng)氣路中一般為Ar、N2等氣體,。這些氣體并不參與成膜,，而是通過發(fā)生輝光放電現(xiàn)象將靶材原子轟擊下來(lái)，使靶材原子獲得能量沉積到襯底上成膜,。
(2)真空系統(tǒng)：與PECVD系統(tǒng)類似,，磁控濺射沉積薄膜前需要將真空腔室抽至高真空。因此,，其真空系統(tǒng)也包括機(jī)械泵,、分子泵這一高真空系統(tǒng)。
(3)循環(huán)水冷卻系統(tǒng)：工作過程中,，一些易發(fā)熱部件(如分子泵)需要使用循環(huán)水帶走熱量進(jìn)行冷卻,，以防止部件損壞。
(4)控制系統(tǒng)：綜合控制PECVD系統(tǒng)各部分協(xié)調(diào)運(yùn)轉(zhuǎn)完成薄膜沉積,，一般集成與控制柜,。
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