使用GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si片上蒸鍍Cu,,探索設(shè)備蒸鍍膜厚大及小值,。
實(shí)驗(yàn)過程:
圖1設(shè)備 圖2蒸發(fā)料
原料:銅段(蒸發(fā)料,,銅導(dǎo)線內(nèi)芯),,Si基底(酒精超聲清洗30min,,后使用去離子水超聲清洗30min,真空烘箱70℃烘干)。使用分子泵抽真空,,待真空度到達(dá)100時,利用氮?dú)鈱η皇疫M(jìn)行洗氣三至四次,。洗氣結(jié)束,,待分子泵抽真空至10-4Torr,開始給爐子加熱,,升溫曲線0.6℃/s,,升溫至相應(yīng)溫度,,玻璃罩出現(xiàn)金屬色后打開擋板蒸鍍,。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下:
目的 | 組別 | 蒸鍍條件 (溫度,、時間) | 鍍膜前 | 鍍膜后 | 膜厚 |
薄 | 1 | 1250℃、10s |
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2 | 1200℃,、10s |
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3 | 1200℃、3s |
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厚 | 4 | 1200℃,、60min |
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5 | 1200℃,、30min |
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結(jié)論:
1、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu,,薄(膜厚儀可檢測)可蒸鍍至14.8nm
2,、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu,厚(起皮前)可蒸鍍至37.72μm
特別聲明:
1. 以上所有實(shí)驗(yàn)僅為初步探究,,僅供參考,。由于我們水平有限,錯誤疏漏之處歡迎指出,,我們非常期待您的建議,。
2. 歡迎您提出其他實(shí)驗(yàn)思路,我們來驗(yàn)證,。
3. 以上實(shí)驗(yàn)案例及數(shù)據(jù)只針對科晶設(shè)備,,不具有普遍性。
4. 因?yàn)樯婕氨C軉栴},,以上數(shù)據(jù)僅為部分?jǐn)?shù)據(jù),,歡迎老師與我們聯(lián)系,我們非常期待和您共同探討設(shè)備的應(yīng)用技術(shù),。
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