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利用ICP-MS分析光刻膠中的Si

閱讀:1646      發(fā)布時間:2020-03-25
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    Si是應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要物質(zhì),其純度分析非常重要,。在太陽能電池領(lǐng)域, Si的純度對于生產(chǎn)低成本高效的太陽能電池意義重大, Si的純度必須高于99.9999%才能提高結(jié)晶Si系太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,。

 

    在這種情況下,雖然可以用ICP,、ICP-MS對高純硅進行分析,但在預(yù)處理過程中必須添加大量HF來使Si*溶解,分析時存在一定難度,。使用ICP、ICP-MS分析時存在光學(xué)干擾,而儀器的結(jié)構(gòu)又決定了Si的檢出限比其他元素更高,所以為了分析低濃度的Si,必須去除光學(xué)干擾或更換儀器進樣系統(tǒng)(霧室,、霧化器,、中心管、炬管),。

    本實驗的目的是利用NexION的DRC模式確定分析Si的條件,。

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珀金埃爾默企業(yè)管理(上海)有限公司

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