在半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)過(guò)程中，許多流程中都要用到各種酸類試劑,。其中重要的是鹽酸（HCl）,，其主要用途是與過(guò)氧化氫和水配制成混合物用來(lái)清潔硅晶片的表面,。由于半導(dǎo)體設(shè)備尺寸不斷縮小，其生產(chǎn)中使用的試劑純度變得越來(lái)越重要,，這是因?yàn)榧词故巧倭侩s質(zhì)也會(huì)導(dǎo)致設(shè)備的失效,。SEMI 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的是金屬雜質(zhì)的大濃度（SEMI 標(biāo)準(zhǔn)C27-07081 用于鹽酸），而半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)商對(duì)雜質(zhì)濃度的要求往往更加嚴(yán)格,，這樣就給試劑供應(yīng)商帶來(lái)了更大的挑戰(zhàn),。其結(jié)果是，分析儀器也必須能夠?qū)Ω蜐舛鹊碾s質(zhì)成分檢測(cè),。
電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）具備測(cè)定納克/ 升（ng/L,，PPT）甚至更低濃度元素含量的能力，是測(cè)量痕量及超痕量金屬的技術(shù),。然而,，常規(guī)的測(cè)定條件下，氬,、氧,、氫離子會(huì)與酸基體相結(jié)合，對(duì)待測(cè)元素產(chǎn)生多原子離子干擾,。
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