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目錄:北京卓立漢光儀器有限公司>>光譜儀器>>綜合光電性能測(cè)試系統(tǒng)>> DSR600-PDE單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)

單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)
  • 單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 ZOLIX/卓立漢光
  • 型號(hào) DSR600-PDE
  • 廠(chǎng)商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
屬性

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更新時(shí)間:2025-02-10 09:02:36瀏覽次數(shù):107評(píng)價(jià)

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單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng),測(cè)量光子探測(cè)器的光譜響應(yīng)范圍,、PDE峰值波長(zhǎng)、PDE峰值等關(guān)鍵信息。

單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)介紹

本系統(tǒng)主要用來(lái)測(cè)試和評(píng)估具有單光子靈敏度的光子計(jì)數(shù)器/ 探測(cè)器的光子探測(cè)效率(Photon Detection Efficiency,PDE),。本系統(tǒng)的原理是,穩(wěn)恒寬帶光源經(jīng)過(guò)單色儀分光后輸出的單色光進(jìn)入積分球,,積分球?qū)⒐鈩蚧笸ㄟ^(guò)兩個(gè)出口分別照射至大光敏面積的標(biāo)準(zhǔn)(定標(biāo)后的)探測(cè)器和待測(cè)光子計(jì)數(shù)器,。通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器定標(biāo)出入射光功率,并換算出單位時(shí)間內(nèi)照射至標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器的光子數(shù),再根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器與待測(cè)光子計(jì)數(shù)器的面積比例,,推算出照射到待測(cè)光子探測(cè)器光敏區(qū)的光子數(shù),。同時(shí)測(cè)量單位時(shí)間內(nèi)待測(cè)探測(cè)器探測(cè)到的光子數(shù)(即電脈沖的數(shù)量),除以照射到待測(cè)光子探測(cè)器的光子數(shù),,即為PDE,。通過(guò)改變單色儀的輸出波長(zhǎng),即可測(cè)量不同波長(zhǎng)下光子探測(cè)器的PDE,,進(jìn)而畫(huà)出PDE 隨波長(zhǎng)的變化曲線(xiàn),。 通過(guò)PDE 隨波長(zhǎng)的變化曲線(xiàn),可以獲得待測(cè)光子探測(cè)器的光譜響應(yīng)范圍,、PDE 峰值波長(zhǎng)、PDE 峰值等關(guān)鍵信息,。

單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)

適用范圍:

■ 蓋革雪崩光電二極管(G-APD),;

■ 單光子雪崩光電二極管(SPAD);

■ 光子計(jì)數(shù)模式的高增益PMT,;

■ 硅光電倍增管(SiPM),;

■ 多像素光子計(jì)數(shù)器(MPPC);

■ 超導(dǎo)單光子探測(cè)器,。

系統(tǒng)功能 :

■ 全光譜光子探測(cè)效率(Photon Detection Efficiency,,PDE)

■ 全光譜光譜響應(yīng)度(Spectral Responsivity,SR)

■ 全光譜外量子效率(External Quantum Efficiency,,EQE)

單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)

產(chǎn)品特點(diǎn):

■ 以相對(duì)較低的成本,,實(shí)現(xiàn)待測(cè)光子探測(cè)器的PDE的快速標(biāo)定或評(píng)估。

■ 通過(guò)切換光源,,可以實(shí)現(xiàn)不同波段靈敏的光子探測(cè)器/光子計(jì)數(shù)器的PDE的標(biāo)定,。

配置參數(shù):更多配置說(shuō)明咨詢(xún)銷(xiāo)售

寬帶復(fù)色光源

可選波長(zhǎng):300-1100nm,可以擴(kuò)展到2500nm

數(shù)據(jù)采集模塊

(或帶觸發(fā)頻率計(jì)數(shù)功能的數(shù)字示波器)

時(shí)間分辨率:4ns/2ns/1.14ns/800ps/400ps可選

通道:2/4通道可選

采樣率:2.5 GS/s

記錄長(zhǎng)度:10M

輸入阻抗:1MΩ,,50Ω

標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器

硅探測(cè)器:300nm-1100nm,,附標(biāo)定證書(shū);

銦鎵砷探測(cè)器:900nm-1700nm(或者2500nm),,附標(biāo)定證書(shū),;

精密源表

高精度源表,電流量程:10nA-1A,,電流分辨率100fA,,電壓源范圍0-200V;

可編程穩(wěn)壓電源

雙通道0-32V,,1mv分辨率,。

應(yīng)用測(cè)量結(jié)果

左圖為使用本測(cè)試系統(tǒng)測(cè)得的某典型SiPM 的PDE 隨波長(zhǎng)變化的曲線(xiàn)。圖中黑色點(diǎn)線(xiàn),、紅色虛線(xiàn),、藍(lán)色實(shí)線(xiàn)分別表示在給SiPM 施加的過(guò)偏壓分別為2 伏,,3 伏,4 伏時(shí),,SiPM 的PDE 隨光波長(zhǎng)變化的曲線(xiàn),。從圖中可以看出,該SiPM 的波長(zhǎng)響應(yīng)范圍約為350-900 nm,,PDE 的峰值波長(zhǎng)約為470nm,。隨著過(guò)偏壓的升高,PDE 明顯上升,,過(guò)偏壓為4V 時(shí),,峰值PDE 達(dá)到約14%,但峰位基本不發(fā)生變化(保持470 nm 不變),。

單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)

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