Ga₂O₃有著4.7-5.2eV的寬禁帶,，本質(zhì)上適合日盲光電探測(cè)器。Ga₂O₃有五種同構(gòu)異形體,，單斜β-Ga₂O₃薄膜因其高溫度穩(wěn)定性已經(jīng)有了大量的研究,。其他相，特別是α-,、γ-,、δ-和ε-Ga₂O₃很少被研究。最近由于ε-Ga₂O₃其有高度對(duì)稱(chēng)的六面體結(jié)構(gòu),，有可能將氮化物和ε-Ga2O3結(jié)合起來(lái),，形成致力于光電應(yīng)用的III-氧化物/III-氮化物異質(zhì)結(jié)器件結(jié)構(gòu)，因此而廣受科研工作者關(guān)注,。

在本文中,，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵課題組通過(guò)氯化物輔助MOCVD，成功地生長(zhǎng)出了在c-平面藍(lán)寶石襯底上的高質(zhì)量單晶ε-Ga₂O₃薄膜,?；诋愘|(zhì)ε-Ga₂O₃薄膜上的，帶有非對(duì)稱(chēng)肖特基電極的日盲光電探測(cè)器被構(gòu)建,。此器件表現(xiàn)出高性能日盲特性,，的高光-暗電流比（PDCR），Jones的高探測(cè)率和%的外量子效率,。同時(shí)實(shí)現(xiàn)了84 A/W的響應(yīng)率,，100 ms的快響應(yīng)速度。

1.3.1 ε-Ga₂O₃日盲光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)

圖1(a)展示了制備的ε-Ga₂O₃ SBPD的截面圖,。ε-Ga₂O₃異質(zhì)外延層生長(zhǎng)于藍(lán)寶石上,，通過(guò)MOCVD，HCl誘導(dǎo)的生長(zhǎng)方式生長(zhǎng),。掃描電子顯微鏡圖像顯示MOCVD生長(zhǎng)的ε-Ga₂O₃薄膜的表面形態(tài)平整,，圖1(b)中ε-Ga₂O₃外延薄膜的X射線(xiàn)衍射（XRD）圖像展示該薄膜為高晶體質(zhì)量的純相ε-Ga₂O₃。圖1(c)為ε-Ga₂O₃薄膜UV-可見(jiàn)光學(xué)透射光譜,。在低于280nm時(shí),，透過(guò)急劇下降,，表明在此后波長(zhǎng)有著很強(qiáng)的吸收能力，證實(shí)了該薄膜的日盲特性,。

圖1. 制備的ε-Ga₂O₃ SBPD的橫截面示意圖,。ε-Ga₂O₃ 外延膜的 (b)X射線(xiàn)衍射圖和(c) 透過(guò)譜。

1.3.2 ε-Ga₂O₃日盲光電探測(cè)器性能

圖2(a)為ε-Ga₂O₃ SBPD在黑暗和在254 nm,，強(qiáng)度為87 μW/cm²光照下半對(duì)數(shù)和線(xiàn)性I-V曲線(xiàn),。暗電流在電壓-6V到+6V范圍內(nèi)保持在很低水平，該器件表現(xiàn)出很好的肖特基特性,。利用傳輸線(xiàn)模型計(jì)算得Ti/Au接觸的接觸電阻率為4.32×10² Ω cm²,。此外，ε-Ga₂O₃薄膜方塊電阻為1.2×Ω/sq,。因此,，低開(kāi)態(tài)電流可歸因于高平面電阻和接觸電阻。利用對(duì)J-V圖線(xiàn)性擬合得φ_B為0.88 eV,。

通常來(lái)說(shuō),，光電響應(yīng)特性依賴(lài)于光強(qiáng)。因此,，在ε-Ga₂O₃ SBPD上研究了I-V曲線(xiàn)和光強(qiáng)的關(guān)系,，如圖2(b)所示?？梢钥吹焦怆娏麟S著光強(qiáng)而增加,。

我們計(jì)算了一些關(guān)鍵的品質(zhì)因數(shù)來(lái)評(píng)估制備的ε-Ga₂O₃ SBPD的性能，例如響應(yīng)度（R）,，探測(cè)度（D*）和外量子率（EQE）,。該器件在不同光照強(qiáng)度下的關(guān)鍵參數(shù)在V=6V時(shí)被提取，正如圖2(c)和(d)所示,。正如期待的那樣,，光電流隨著光照強(qiáng)度而增大，因?yàn)樵诟吖夤β使庹障略?/font>ε-Ga₂O₃溝道中有更多的光子被吸收以及更多的光激發(fā)載流子產(chǎn)生,。因此,，PCDR、R和D*也會(huì)隨著光照強(qiáng)度而增大,，表明不會(huì)有ε-Ga₂O₃ SBPD的光或熱引導(dǎo)退化,。

圖2. 在暗環(huán)境和光照下的線(xiàn)性和半對(duì)數(shù)坐標(biāo)下的I-V曲線(xiàn)。(b)在暗環(huán)境和光照條件下的半對(duì)數(shù)坐標(biāo)的I-V曲線(xiàn),。 (c)光電流和光/暗電流比和(d)響應(yīng)度和探測(cè)率隨光強(qiáng)的變化關(guān)系,。

不同光強(qiáng)及柵壓對(duì)ε-Ga₂O₃日盲光電探測(cè)器性能的影響

圖3(a)為在不同電壓下，光強(qiáng)為87μW/cm²的時(shí)光電流隨時(shí)間變化的響應(yīng)特性,。光電流隨著偏壓而增大,，因?yàn)楣馍d流子被電場(chǎng)加速,，因此更多的光生載流子在更高偏壓下被收集。為了獲得精確的響應(yīng)速度,，放大的歸一化時(shí)變光電流曲線(xiàn)畫(huà)在圖3(b)中,，以展示下降過(guò)程。下降時(shí)間被定義為從90%下降至10%的時(shí)間,，估算為100ms,，與已報(bào)導(dǎo)的Ga₂O₃ 探測(cè)器相比，這是一個(gè)很快的速度,?？煜陆禃r(shí)間可歸功于在通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的ε-Ga₂O₃薄膜中，通過(guò)氫/氯對(duì)深能級(jí)陷阱的鈍化,，在此過(guò)程中HCl作為催化劑,。

圖3. 該器件在不同偏壓條件下的時(shí)間相應(yīng)特性,。(b)歸一化下降沿過(guò)程,。(c)該ε-Ga₂O₃ SBPD的反向I-V特性曲線(xiàn)。(d)該器件得到的響應(yīng)度與衰減時(shí)間的關(guān)系

圖3(c)為黑暗環(huán)境下制備的ε-Ga₂O₃ SBPD的反向I-V特性曲線(xiàn),，高擊穿電壓使得ε-Ga₂O₃薄膜有可能被用來(lái)制造高增益的光電二極管,。在此工作中，在ε-Ga₂O₃ SBPD上實(shí)現(xiàn)了84A/W的響應(yīng)度,，和100ms的快響應(yīng)速度,。如圖3(d)所示。 

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵教授課題組簡(jiǎn)介

    課題組主要從事寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的生長(zhǎng),，器件開(kāi)發(fā),，包括電力電子器件以及紫外探測(cè)器件，功率器件模組以及成像系統(tǒng)的開(kāi)發(fā),。主要期望通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),，以及完善工藝開(kāi)發(fā)，制備更高性能的功率器件和深紫外探測(cè)器件,，實(shí)現(xiàn)更高的擊穿電壓,，更低的導(dǎo)通電阻，更高的響應(yīng)度和更快的響應(yīng)速度等,。截止目前,，龍世兵教授主持國(guó)家自然科學(xué)基金、科技部（863,、973,、重大專(zhuān)項(xiàng)、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃）,、中科院等資助科研項(xiàng)目15項(xiàng),。在Adv. Mater., ACS Photonics,，IEEE Electron Device Lett.等國(guó)際學(xué)術(shù)期刊和會(huì)議上發(fā)表論文100余篇，SCI他引6300余次,，H指數(shù)44,。

文章信息

這一成果以“High-Performance Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Grown ε-Ga2O3 Solar-Blind Photodetector With Asymmetric Schottky Electrodes”為題發(fā)表在IEEE Electron Device Letters期刊上。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)覃愿為第一作者,，龍世兵教授為通訊作者,。，

文章信息：IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(9), 1475-1478上,。

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