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LEEM是廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)領(lǐng)域的高技術(shù)分析儀器,，能集原位觀測、超快及光電子成像于一體,，即我們所稱的“長眼睛的超級XPS",，能對薄膜以及二維材料、鋰離子電池,、鈣鈦礦太陽能電池材料等的表面電子行為進(jìn)行實時激發(fā),、圖像采集及定量分析，此外LEEM還可定量地解析各種薄膜材料在生長過程中所處的能帶狀態(tài),，因而可以對電子材料制備,、使用和失效過程進(jìn)行有效的表征，從而揭示電子材料的化學(xué)成分,、能帶及其價態(tài)與性能的作用機理,。LEEM與成像功能和離子濺射刻蝕相結(jié)合，可以用于固體表面元素成分及價態(tài)的面分布和深度剖析,；與離子蒸鍍或其他分子束外延技術(shù)相結(jié)合,，可以進(jìn)行原位樣品的制備及分析工作。當(dāng)電子到樣品的著陸能量較低時,，會在樣品表面發(fā)生衍射,。對衍射斑點進(jìn)行成像，可以獲得LEED圖像,，得知表面晶向結(jié)構(gòu),。同時可以與光闌配合，調(diào)控電子束在表面的位置與大小,，進(jìn)行微區(qū)LEED表征,，這樣就不僅可以對樣品表面進(jìn)行實空間成像，還可以得知樣品各微觀位置的晶向結(jié)構(gòu),。這也是PEEM/LEEM系統(tǒng)一大優(yōu)勢,。因此，LEEM在電子薄膜材料,、半導(dǎo)體材料,、納米材料、能源,、催化分析等方面具有不可替代的作用,。

配置清單：

技術(shù)參數(shù)：

1、 主分析腔真空≤2×10-10mbar,，主分析腔和快速進(jìn)樣腔之間配有過渡腔,，留有擴(kuò)展接口，可用于后期與其它設(shè)備互聯(lián),；

2,、 *高精度5軸馬達(dá)全自動驅(qū)動樣品臺，XYZ和2個Tilt方向全部馬達(dá)驅(qū)動

3,、 高通量放電汞燈一個,，用于PEEM成像

4、 高溫成像樣品溫度可達(dá)1500K,；

5,、 *磁偏轉(zhuǎn)棱鏡采用90°偏轉(zhuǎn)，易于光路整體校正,；

6,、 *冷場發(fā)射電子槍，電子束斑直徑200nm- 40μm,，能量分布FWHM ≤0.3 eV,；

空間分辨率＜5nm（LEEM模式），＜10nm（PEEM模式）

像差校正：LEEM空間分辨率優(yōu)于3nm

7,、 能量分辨率< 250 meV,；

8、 樣品位置穩(wěn)定性＜5nm,，再現(xiàn)性＜500nm,；

9、 軟件能操控能量狹縫位置,，可快速實現(xiàn)能量過濾成像,；