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具備三維翹曲（平整度）及薄膜應(yīng)力的檢測(cè)功能,，適用于半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn),、半導(dǎo)體制程工藝開(kāi)發(fā)、玻璃及陶瓷晶圓生產(chǎn),，尤其具有測(cè)量整面翹曲曲率分布的能力,。

優(yōu)勢(shì)

?? 全口徑均勻采樣測(cè)量，采樣間隔最少可至0.1mm

?? 同時(shí)具備翹曲測(cè)量及應(yīng)力測(cè)量功能

?? 全直觀(guān)展現(xiàn)薄膜導(dǎo)致的晶圓形變,，可計(jì)算整面應(yīng)力mapping和任意角度的曲率及應(yīng)力

?? 全豐富的軟件分析功能,，包括：三維翹曲圖、晶圓翹曲參數(shù)統(tǒng)計(jì)（BOW,，WARP等）,、ROI分析、薄膜應(yīng)力及分布,、應(yīng)力隨時(shí)間變化,、薄膜應(yīng)力變溫測(cè)量、曲率計(jì)算,、多項(xiàng)式擬合,、空間濾波等多種后處理算法。

適用對(duì)象

??  2-8 英寸透明,、半透明或非透明的拋光晶圓（硅,、砷化鎵、鉭酸鋰,、玻璃,、藍(lán)寶石,、磷化銦,、碳化硅、氮化鎵等材質(zhì)）,、鍵合晶圓,、圖形晶圓,、方形玻璃等。

?? 可檢測(cè)經(jīng)過(guò)薄膜工藝處理后的透明,、半透明或非透明表面,，薄膜材質(zhì)包含且不限于：Si,、 SiO2,、SiN、三氧化二鋁,、光刻膠,、金屬薄膜,、膠黏劑,、納米高分子膜、有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化膜等,。

適用領(lǐng)域

?? 半導(dǎo)體及玻璃晶圓的生產(chǎn)和質(zhì)量檢查

?? 半導(dǎo)體薄膜工藝的研究與開(kāi)發(fā)

?? 半導(dǎo)體制程和封裝減薄工藝的過(guò)程控制和故障分析

測(cè)量原理

1. 晶圓制程中會(huì)在晶圓表面反復(fù)沉積薄膜,，基板與薄膜材料特性的差異導(dǎo)致晶圓翹曲，翹曲和薄膜應(yīng)力會(huì)對(duì)工藝良率產(chǎn)生重要影響

2. 采用結(jié)構(gòu)光反射成像方法測(cè)量晶圓的三維翹曲分布,，通過(guò)翹曲曲率半徑測(cè)量來(lái)推算薄膜應(yīng)力分布,，具有非接觸、免機(jī)械掃描和高采樣率特點(diǎn),，6英寸晶圓全口徑測(cè)量時(shí)間低于30s

3. 通過(guò)Stoney公式及相關(guān)模型計(jì)算晶圓應(yīng)力分布

MKW-3800 技術(shù)規(guī)格

項(xiàng)目參數(shù)

測(cè)量對(duì)象2英寸-8英寸拋光/圖形晶圓

采樣間隔均勻全口徑采樣,，最小采樣間隔0.1mm

測(cè)量時(shí)間單次測(cè)量時(shí)間<30s （6英寸晶圓全口徑）

三維翹曲翹曲測(cè)量范圍0.5μm-5000μm*

重復(fù)性0.2μm或1%精度0.5μm或1.5%

薄膜應(yīng)力應(yīng)力測(cè)量范圍1 MPa - 10000 MPa

曲率測(cè)量范圍0.5m-10000m

曲率半徑重復(fù)精度<1% 1σ (@曲率半徑25 m)

薄膜應(yīng)力重復(fù)精度1.5MPa或1%

工作軟件Stress Mapper 軟件：采圖、測(cè)量控制及計(jì)算分析

軟件功能三維翹曲顯示,、晶圓翹曲參數(shù)統(tǒng)計(jì)（BOW，WARP等）,、薄膜應(yīng)力及分布,、時(shí)變穩(wěn)定性分析、多種擬合算法,、空間濾波算法等

上海麥科威晶圓翹曲應(yīng)力測(cè)量?jī)x將全口徑翹曲,、應(yīng)力,、表面瑕疵等分析整合進(jìn)入每一次測(cè)量,，確保我們的客戶(hù)能夠快速確認(rèn)工藝。