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PhysTech在1990年推出了一臺數(shù)字DLTS,，隨著電腦技術(shù)的發(fā)展，使得在短時間內(nèi)進行復雜計算成為可能,。在純指數(shù)發(fā)射過程模型的基礎(chǔ)上,，用各種數(shù)學模型分析測量到的瞬態(tài)過程，如傅里葉轉(zhuǎn)換,、拉普拉斯轉(zhuǎn)換,、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、ITS（等溫瞬態(tài)光譜）信號重疊法,、溫度掃描信號重疊法（重折疊）,。與其他系統(tǒng)相比，HERA-DLTS具有能量分辨率

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高能分辨率深能級瞬態(tài)譜（DLTS）

PhysTech在1990年推出了一臺數(shù)字DLTS,，隨著電腦技術(shù)的發(fā)展,，使得在短時間內(nèi)進行復雜計算成為可能。在純指數(shù)發(fā)射過程模型的基礎(chǔ)上,，用各種數(shù)學模型分析測量到的瞬態(tài)過程,，如傅里葉轉(zhuǎn)換、拉普拉斯轉(zhuǎn)換,、多指數(shù)瞬態(tài)擬合,、ITS（等溫瞬態(tài)光譜）信號重疊法、溫度掃描信號重疊法（重折疊）,。與其他系統(tǒng)相比,，HERA-DLTS具有能量分辨率。

半導體的摻雜濃度,、缺陷能級位,、界面態(tài)(俘獲界面)是研究半導體性質(zhì)的重要手段。此設(shè)備根據(jù)半導體P-N 結(jié),、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜,，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài),。通過對樣品的溫度掃描,，可以給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜,。

特點：

操作模式：

規(guī)格：

分辨率：	1*108 atoms/cm3
脈沖發(fā)生器
電壓范圍：	±20.4V（±102opt.）
電壓分辨率:	0．625mV
電流:	＞±15mA
脈沖寬度:	1μs-1000s
快速脈沖選配

電容表
HF信號:	100Mv@1MHz(20mV optional)
范圍[pF]:	3,30,300,3000(自動或手動)
電容補償:	0.1-3000 pF（自動或手動）
靈敏度:	0.01 fF

電壓測量
范圍:	±10V
靈敏度:	＜1μV
輸入電阻:	106Ohm
可提供偏壓補償:

電流測試
范圍:	5,，從±1μA 到±10mA
靈敏度:	＜1pA
可提供漏電保護

瞬態(tài)記錄
樣品速率:	2μs到2000s
樣品數(shù)量:	16-16384（opt.64k）
可調(diào)節(jié)抗失真濾膜

標準冷卻倉
溫度范圍:	15K-450K或77K~800K
溫度掃描方式：	使用28個不同的相關(guān)功能（軟件）通過一次溫度掃描，給出28個溫度掃描信號,。

典型性能（Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV）
靈敏度:	10-7<NT/(ND-NA)<10-5
能量精度:	HT+/-3%
能量分辨率:	10meV
發(fā)射率:	10-3/s<en<104/s

Options

Constant Capacitance
Optical Excitation
Fast Pulse Interface
±100 V Option
Multi Sample Interface
C-DLTS
CC-DLTS
I-DLTS
DD-DLTS
Zerbst-DLTS
O-DLTS
FET-Analysis
MOS-Analysis
ITS（等溫瞬態(tài)光譜儀）
缺陷分析
俘獲截面測量
I/V, I/V(T)理查森標繪圖
C/V, C/V(T)
TSC/TSCAP
PITS（光子誘導瞬態(tài)譜）
DLOS(特殊系統(tǒng))
自動接觸檢查
常規(guī)測試和加強軟件
自動電容補償
三終端FET電流瞬態(tài)測量
大電容和濃度范圍
靈活性高,、模塊化硬件
支持各種冷卻倉和溫度控制器
傅里葉轉(zhuǎn)換（F-DLTS），比例窗口和用戶自定義校正功能
DLTFS（深層瞬態(tài)傅里葉光譜儀）評價

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