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上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
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當(dāng)前位置：上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司>>光譜儀>>深能級(jí)瞬態(tài)譜儀>> FT1230深能級(jí)瞬態(tài)譜儀/德國(guó)PhysTech/DLTS

深能級(jí)瞬態(tài)譜儀/德國(guó)PhysTech/DLTS

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產(chǎn)品型號(hào)FT1230

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地上海市

更新時(shí)間：2025-04-26 15:19:18瀏覽次數(shù)：59次

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PhysTech在1990年推出了一臺(tái)數(shù)字DLTS,，隨著電腦技術(shù)的發(fā)展,，使得在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行復(fù)雜計(jì)算成為可能,。在純指數(shù)發(fā)射過(guò)程模型的基礎(chǔ)上,，用各種數(shù)學(xué)模型分析測(cè)量到的瞬態(tài)過(guò)程,，如傅里葉轉(zhuǎn)換,、拉普拉斯轉(zhuǎn)換,、多指數(shù)瞬態(tài)擬合,、ITS（等溫瞬態(tài)光譜）信號(hào)重疊法、溫度掃描信號(hào)重疊法（重折疊）,。與其他系統(tǒng)相比，HERA-DLTS具有能量分辨率,。

  • 詳細(xì)介紹

  • 高能分辨率深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）


    PhysTech在1990年推出了一臺(tái)數(shù)字DLTS,，隨著電腦技術(shù)的發(fā)展，使得在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行復(fù)雜計(jì)算成為可能,。在純指數(shù)發(fā)射過(guò)程模型的基礎(chǔ)上,，用各種數(shù)學(xué)模型分析測(cè)量到的瞬態(tài)過(guò)程，如傅里葉轉(zhuǎn)換,、拉普拉斯轉(zhuǎn)換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合,、ITS（等溫瞬態(tài)光譜）信號(hào)重疊法、溫度掃描信號(hào)重疊法（重折疊）,。與其他系統(tǒng)相比,，HERA-DLTS具有能量分辨率,。

    半導(dǎo)體的摻雜濃度,、缺陷能級(jí)位,、界面態(tài)(俘獲界面)是研究半導(dǎo)體性質(zhì)的重要手段。此設(shè)備根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié),、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測(cè)量出的深能級(jí)瞬態(tài)譜,，是一種具有很高檢測(cè)靈敏度的實(shí)驗(yàn)方法，能檢測(cè)半導(dǎo)體中微量雜質(zhì),、缺陷的深能級(jí)及界面態(tài)。通過(guò)對(duì)樣品的溫度掃描,，可以給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜,。

    特點(diǎn)：

    操作模式：


    規(guī)格：



    分辨率：

    		1*108 atoms/cm3

    脈沖發(fā)生器

    電壓范圍：±20.4V（±102opt.）
    電壓分辨率:0．625mV
    電流:＞±15mA
    脈沖寬度:1μs-1000s
    快速脈沖選配


    電容表
    HF信號(hào):100Mv@1MHz(20mV optional)
    范圍[pF]:3,30,300,3000(自動(dòng)或手動(dòng))
    電容補(bǔ)償:0.1-3000 pF（自動(dòng)或手動(dòng)）
    靈敏度:0.01 fF


    電壓測(cè)量
    范圍:±10V
    靈敏度:＜1μV
    輸入電阻:106Ohm
    可提供偏壓補(bǔ)償:

    電流測(cè)試

    范圍:

    		5，從±1μA 到±10mA

    靈敏度:

    		＜1pA
    可提供漏電保護(hù)

    瞬態(tài)記錄

    樣品速率:

    		2μs到2000s

    樣品數(shù)量:

    		16-16384（opt.64k）

    可調(diào)節(jié)抗失真濾膜



    標(biāo)準(zhǔn)冷卻倉(cāng)
    溫度范圍:15K-450K或77K~800K
    溫度掃描方式：使用28個(gè)不同的相關(guān)功能（軟件）通過(guò)一次溫度掃描,，給出28個(gè)溫度掃描信號(hào)。

    典型性能（Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV）
    靈敏度:10-7<NT/(ND-NA)<10-5
    能量精度:HT+/-3%
    能量分辨率:10meV
    發(fā)射率:10-3/s<en<104/s


    Options


    • Constant Capacitance

    • Optical Excitation

    • Fast Pulse Interface

    • ±100 V Option

    • Multi Sample Interface

    • C-DLTS

    • CC-DLTS

    • I-DLTS

    • DD-DLTS

    • Zerbst-DLTS

    • O-DLTS

    • FET-Analysis

    • MOS-Analysis

    • ITS（等溫瞬態(tài)光譜儀）

    • 缺陷分析

    • 俘獲截面測(cè)量

    • I/V, I/V(T)理查森標(biāo)繪圖

    • C/V, C/V(T)

    • TSC/TSCAP

    • PITS（光子誘導(dǎo)瞬態(tài)譜）

    • DLOS(特殊系統(tǒng))

    • 自動(dòng)接觸檢查

    • 常規(guī)測(cè)試和加強(qiáng)軟件

    • 自動(dòng)電容補(bǔ)償

    • 三終端FET電流瞬態(tài)測(cè)量

    • 大電容和濃度范圍

    • 靈活性高,、模塊化硬件

    • 支持各種冷卻倉(cāng)和溫度控制器

    • 傅里葉轉(zhuǎn)換（F-DLTS）,，比例窗口和用戶自定義校正功能

    • DLTFS（深層瞬態(tài)傅里葉光譜儀）評(píng)價(jià)






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