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磁電耦合測(cè)量系統(tǒng)

·磁電耦合系數(shù)

      磁電耦合系數(shù)（Mangnetoelectric Voltage Coefficient, α_E=dP/dH ）是表征多鐵材料磁電耦合效應(yīng)強(qiáng)弱最直接方式,，也是最容易通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)得的參數(shù),。磁電耦合系數(shù)分別正磁電耦合系數(shù)和逆磁電耦合系數(shù)，一般情況下二者大小相同?，F(xiàn)在最為通用的測(cè)量正磁電耦合系數(shù)的原理通過(guò)對(duì)樣品施加交變磁場(chǎng),，具有磁電耦合效應(yīng)的多鐵材料就會(huì)感生出相同頻率的交變電壓，再通過(guò)鎖相技術(shù)得到磁電耦合電壓的值,，如圖1所示,。此時(shí)，磁電耦合系數(shù)的單位為V/(cm·Oe),。

圖1 磁電耦合電壓測(cè)試原理圖

·技術(shù)指標(biāo)

      本產(chǎn)品提供包括樣品桿、螺線管,、樣品托等,，可在OxfordPT®、Quantum Design PPMS®,、Cryogenics® ,、Janis®等各種低溫強(qiáng)磁場(chǎng)平臺(tái)使用,。在1.8 K~400 K和0 T~13 T范圍內(nèi)具有很高的信噪比。此外,，可以有多種測(cè)量方式,，交變磁場(chǎng)和外加直流磁場(chǎng)可以施加在樣品的面內(nèi)和面外方向，并且可以選購(gòu)具有轉(zhuǎn)角功能的樣品桿,，可以實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)面內(nèi)和面外360°的轉(zhuǎn)角,，為磁電耦合系數(shù)測(cè)量提供更多角度。

磁電耦合測(cè)量系統(tǒng)

·實(shí)例

       復(fù)合磁電耦合材料因?yàn)榫哂性谑覝叵麓蟮拇烹婑詈舷禂?shù)而被廣泛的研究,，其中Ni/PMN-PT/Ni trilayer因?yàn)槠浜?jiǎn)單的結(jié)構(gòu)和材料成為研究的熱點(diǎn),，圖2是應(yīng)用本產(chǎn)品測(cè)試的Ni/PMN-PT/Ni的磁電耦合系數(shù)隨外加直流磁場(chǎng)的變化,，可以看出數(shù)據(jù)在μV量級(jí)仍然有很好的信噪比,。

圖2 Ni/PMN-PT/Ni磁電耦合系數(shù)隨磁場(chǎng)的變化