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當前位置：北京漢達森機械技術有限公司>>材料>> 德國Hellma CeBr3晶體材料
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌Hellma/德國豪瑪
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地天津市
更新時間：2025-01-03 17:08:27瀏覽次數(shù)：128次
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德國Hellma CeBr3晶體材料發(fā)射光譜峰值在370 nm
德國Hellma GmbH & Co. KG是一家成立于1922年的公司,，由Karl Mayer創(chuàng)立。Hellma最初以生產(chǎn)簡單的光學玻璃比色皿起家,，這些產(chǎn)品主要用于旋光,、比色和分光光度測試,。隨著科學行業(yè)的興旺,，特別是五十年代,，比色測試成為了定性分析和定量分析的常用方法,，Hellma也積極開發(fā)和擴展其產(chǎn)品系列以滿足新型比色皿的迅速增長需求,。
主要產(chǎn)品：
Hellma比色皿
Hellma晶體材料
Hellma光學材料
Hellma光學玻璃
Hellma光學元件
Hellma晶體材料CeBr3
高分辨率：CeBr3晶體以其高分辨率而為人熟知,，在高能物理,、核醫(yī)學、石油勘探,、環(huán)境監(jiān)測、安全檢查等領域有廣泛應用,。
快速衰減時間：CeBr3晶體的衰減時間快速,，這使得它在需要快速響應的應用中表現(xiàn)出色,。
低本底輻射：CeBr3晶體在1500-2200 keV能量范圍內(nèi),，自身本底輻射低于0.001c/s/cc,，這為低本底輻射應用提供了優(yōu)勢,。
高密度：CeBr3晶體的密度為5.18 g/cm3,，略高于LaBr3:5%Ce的5.07 g/cm3,，這與其較大的有效原子數(shù)（Zeff）有關,，分別為45.9和45.3,。
發(fā)射光譜特性：CeBr3晶體的Ce3?發(fā)射光譜峰值在370 nm,，與LaBr3:5%Ce的360 nm相比,，略有不同,。
自吸收和再發(fā)射：CeBr3晶體的發(fā)射光譜會因樣本厚度的不同而有所變化,，這是由于閃爍自吸收和再發(fā)射過程引起的。
高能量分辨率：CeBr3晶體在662 keV的能量分辨率約為4%，主要由閃爍自吸收和再發(fā)射過程限制,，這導致與LaBr3:5%Ce相比，光產(chǎn)量（LY）較低,。
高檢測靈敏度：在低于3 MeV的能量下,，CeBr3的平均檢測靈敏度比LaBr3:5%Ce高約5倍,，對于40K的檢測高達16倍。
抗輻射能力：CeBr3能夠承受1012 protons/cm2的質(zhì)子通量（>1 Mrad Siequivalent dose）,，適用于空間應用。
環(huán)境穩(wěn)定性：CeBr3晶體在空氣中易潮解、易氧化,，需要避光密封保存，生長過程中易分解,，造成晶體開裂,、透明度下降,，對生長環(huán)境,、技術工藝要求較高,。
摻雜性能提升：CeBr3晶體可以通過摻雜其他元素如鍶（Sr）來提高性能，0.2%的鍶摻雜量較為合適,，可以兼顧性能與生長要求,。
型號示例：
Hellma晶體材料CeBr3
Hellma晶體材料Yb3+
Hellma晶體材料BaF2
Hellma晶體材料CaF2
Hellma晶體材料LBC:Ce
Hellma晶體材料CaF2:Eu
Hellma晶體材料CVD Zinc Sulfide
Hellma晶體材料Cleartran
Hellma晶體材料CVD Zinc Selenide
德國Hellma CeBr3晶體材料發(fā)射光譜峰值在370 nm
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