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在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕,。
干法刻蝕,,是利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體,通過經(jīng)光刻而開出的掩蔽層窗口,,與暴露于等離子體中的硅片行物理和化學反應,,刻蝕掉硅片上暴露的表面材料的一種工藝技術(shù)法[1]。該工藝技術(shù)的突出優(yōu)點在于,,可以獲得極其精確的特征圖形,。超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,要求微細化加工工藝能夠嚴格的控制加工尺寸,,要求在硅片上完成極其精確的圖形轉(zhuǎn)移,。任何偏離工藝要求的圖形或尺寸,都可能直接影響產(chǎn)品性能或品質(zhì),,給生產(chǎn)帶來無法彌補的損害,。由于干法刻蝕技術(shù)在圖形軼移上的突出表現(xiàn),己成為亞微米尺寸下器件刻蝕的最主要工藝方法,。在特征圖形的制作上,,已基本取代了濕法腐蝕技術(shù)。
對于濕法腐蝕,就是用液體化學試劑(如酸,、堿和溶劑等)以化學的方式去除硅片表面的材料,。當然,在通過濕法腐蝕獲得特征圖形時,,也要通過經(jīng)光刻開出的掩膜層窗口,,腐蝕掉露出的表面材料。但從控制圖形形狀和尺寸的準確性角度而言,,在形成特征圖形方面,,濕法 腐蝕一般只被用于尺寸較大的情況(大于3微米)。由于這一特點,,濕法腐蝕遠遠沒有干法刻蝕的應用廣泛,。但由于它的高選擇比和批量制作模式,濕法腐蝕仍被廣泛應用在腐蝕層間膜,、去除干法刻蝕殘留物和顆粒等工藝步驟中,。