本文對(duì)比研究了商品化銀漿體系和新銀漿體系的潤(rùn)濕性對(duì)芯片鍵合性能的影響,。
銀漿：新型銀漿體系（記為 B）,，其與銀漿A體系的區(qū)別在于粘合促進(jìn)劑的不同。
基底：環(huán)氧玻纖基材,。
采用德國(guó) KRüSS 公司的 DSA100 測(cè)量銀漿與基材的接觸角,。
DSA100接觸角測(cè)試儀
銀漿B在基材上的接觸角低于銀漿A，表明銀漿B的浸潤(rùn)性良好,，有利于在基板和芯片中間產(chǎn)生連續(xù)的銀漿層,。
而剖面形貌分析也證實(shí)銀漿 B在芯片表面形成了連續(xù)的銀漿鍵合層,。對(duì)銀漿A的芯片鍵合層剖面進(jìn)行觀察,，發(fā)現(xiàn)銀漿A的鍵合層存在空洞，證明銀漿在點(diǎn)膠過(guò)程中沒(méi)有wan全浸潤(rùn)基材的表面,，使空氣封閉在鍵合層中,。而空氣在銀漿固化的過(guò)程中受熱膨脹，不僅減小了界面處的銀漿結(jié)合面積,，減弱了鍵合強(qiáng)度,，而且也導(dǎo)致了過(guò)高的鍵合層厚度。
圖2,，銀漿 B 鍵合層剖面的 SEM 照片
圖3,，銀漿 A 鍵合層剖面的 SEM 照片
可看出減少銀漿層的空洞是提高芯片鍵合強(qiáng)度的一種有效方法。合適的粘合促進(jìn)劑可以幫助增加銀漿在基材表面的浸潤(rùn)并減少界面銀漿層里的空洞,。
參考文獻(xiàn)：
本文有刪減,，詳細(xì)信息請(qǐng)參考原文。
堵美軍,，梁國(guó)正.高芯片鍵合質(zhì)量與高生產(chǎn)率的新型銀漿體系的研究[J].中國(guó)集成電路,2021,1-2(260-261): 63-69.
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