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深圳市矢量科學儀器有限公司

當前位置:深圳市矢量科學儀器有限公司>>半導體前道工藝設備>>4 外延系統>> MBE 412RIBER分子束外延4 英寸中試生產系統

RIBER分子束外延4 英寸中試生產系統

參  考  價:面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號MBE 412

品牌RIBER

廠商性質經銷商

所在地法國

更新時間:2025-06-05 21:57:45瀏覽次數:545次

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RIBER分子束外延4 英寸中試生產系統正受到越來越多與工業(yè)合作伙伴合作開展應用項目的關鍵研究機構的關注。
這種興趣的增加部分歸因于 4 英寸(或 3 x 2 英寸)容量在這種類型的戰(zhàn)略合作伙伴關系中受到青睞,在這些合作伙伴關系中,,成功的里程碑基于設備演示和合格的試生產運行。
無論材料系統如何,,412 都具有全自動樣品轉移,、12 個源端口的靈活性和可重復的晶圓廠質量 ,專為實現這些目標而設計,。

1 產品概述:

   RIBER分子束外延4 英寸中試生產系統是一款專為半導體制造領域設計的先進設備,,旨在滿足中試生產階段對高質量、高精度晶體沉積的需求,。該系統集成了高精度沉積技術,、多源端口設計、先進的真空系統以及可定制化等特性,,為半導體材料的生長和器件的制造提供了強有力的支持,。

2 設備用途:

  1. 工藝驗證與優(yōu)化:該系統主要用于驗證和優(yōu)化在實驗室小試階段確定的工藝路線和技術參數。通過中試生產,,可以進一步考察工藝的穩(wěn)定性,、設備的可靠性以及產品的質量,為后續(xù)的大規(guī)模工業(yè)化生產提供數據支持和技術依據,。

  2. 材料生長:RIBER分子束外延4 英寸中試生產系統能夠在襯底上精確沉積各種材料,,如GaAsInP,、GaN等,,實現原子層級的控制,確保薄膜的高質量和均勻性,。這些材料是制造微電子器件,、光電器件等的關鍵材料。

  3. 復雜結構生長:該系統配備的多源端口設計使其能夠滿足不同材料的沉積需求,,有助于生長復雜的半導體結構,,如量子點、量子阱等,,為新型半導體器件的研發(fā)提供可能,。

3 設備特點

  高精度沉積:RIBER分子束外延4 英寸中試生產系統能夠實現原子層級的材料沉積控制,確保薄膜的高質量和均勻性。這種高精度沉積能力對于提高器件性能和可靠性至關重要,。

  多源端口設計:該系統可配備多個源端口,,以滿足不同材料的沉積需求。這種設計靈活性使得系統能夠生長多種材料組合和復雜結構,,為半導體器件的多樣化提供了可能,。

    先進的真空系統:提供高真空環(huán)境,有效減少雜質和污染,,保證晶體沉積的純度和質量,。高真空環(huán)境是分子束外延技術實現高質量沉積的關鍵因素之一。


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