一,、產(chǎn)品概述:
Nikon NSR 2005i9C步進(jìn)式光刻機(jī)是一款高精度的半導(dǎo)體制造設(shè)備,,該機(jī)型采用先進(jìn)的步進(jìn)光刻技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率和高精度的圖案轉(zhuǎn)移,,廣泛應(yīng)用于集成電路(IC),、微處理器和存儲(chǔ)器等電子元件的制造。憑借其良好的成像質(zhì)量和快速的曝光速度,,Nikon NSR 2005i9C非常適合大批量生產(chǎn),,同時(shí)其用戶友好的操作界面和高效的自動(dòng)化功能提升了生產(chǎn)效率。這使得Nikon NSR 2005i9C成為現(xiàn)代半導(dǎo)體制造過程中的重要工具,,滿足行業(yè)對(duì)高質(zhì)量和高效率的需求,。
二、設(shè)備用途/原理:
該設(shè)備通過高強(qiáng)度光源將掩模上的圖案逐步投影到涂有光刻膠的晶圓表面,。光源發(fā)出特定波長的光線,,經(jīng)過高分辨率光學(xué)系統(tǒng),精確地將掩模圖案投影到晶圓上進(jìn)行曝光,。曝光后,,光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化,隨后進(jìn)行顯影,,去除未曝光或已曝光的光刻膠,,從而形成所需的圖案。接著,,利用刻蝕工藝將圖案轉(zhuǎn)移到晶圓材料上,,最后去除殘留的光刻膠。通過這一系列步驟,,Nikon NSR 2005i9C能夠高效地實(shí)現(xiàn)復(fù)雜圖形的精確轉(zhuǎn)移,,滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造的高標(biāo)準(zhǔn)要求。
三,、主要技術(shù)指標(biāo):
分辨率 | 0.45µm |
N.A. | 0.57 |
曝光光源 | 365nm |
倍率 | 5:1 |
大曝光現(xiàn)場 | 20mm*20mm |
對(duì)準(zhǔn)精度 | LSA:120nm |
四,、設(shè)備特點(diǎn)
Nikon NSR 2005i9C步進(jìn)式光刻機(jī)
光源波長365nm
分辨率優(yōu)于0.45µm
用于2寸、4寸,、6寸,、8寸生產(chǎn)線
廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體,、MEMS、LED等