1. 產(chǎn)品概述
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,，從爐中噴出后,，沉積在高溫的單晶基片上。如果設置幾個噴射爐,，就可以制取多元半導體混晶,，又可以同時進行摻雜?？梢跃_地控制結晶生長,，進行沉積系統(tǒng)中結晶生長過程的研究。
2. 設備特點
分子束外延,，是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,，將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,，從爐中噴出后,，沉積在溫度保持在100°以上的單晶基片上。如果設置幾個噴射爐,，就可以制取多元半導體混晶,，又可以同時進行摻雜?？梢跃_地控制結晶生長,，進行沉積系統(tǒng)中結晶生長過程的研究。
12個源爐：鎵,、銦,、鋁、砷,、銻,、磷、鉍,、硅,、鎂、摻雜等,；
襯底：大4inch ,；
高溫度：1000°C 溫度均勻性：≤±3°C（4inch）；
超高真空下全自動樣品轉移,；
用于過程控制和分析的所有現(xiàn)代現(xiàn)場監(jiān)控功能,；
一個集群上多7個超高真空功能單元：裝載、儲存,、翻轉,、處理,、排氣、生長,，外部腔室,；
可連接其他分析設備或其他：ALD、PLD,、PVD,、金屬化、STM,。
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