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當前位置：無錫冠亞恒溫制冷技術有限公司>>元器件高低溫測試機>>Chiller>> LTS-202Chillers半導體控溫裝置 模塊循環(huán)制冷機
| 產地類別 | 國產 | 價格區(qū)間 | 10萬-50萬 |
|---|---|---|---|
| 冷卻方式 | 水冷式 | 儀器種類 | 一體式 |
| 應用領域 | 化工,生物產業(yè),電子/電池,制藥/生物制藥,汽車及零部件 |
主要產品包括半導體專?溫控設備,、射流式?低溫沖擊測試機和半導體??藝廢?處理裝置等?設備,，
?泛應?于半導體、LED,、LCD,、太陽能光伏等領域。
半導體專溫控設備
射流式?低溫沖擊測試機
半導體專用溫控設備chiller
Chiller氣體降溫控溫系統(tǒng)
Chiller直冷型
循環(huán)風控溫裝置
半導體?低溫測試設備
電?設備?溫低溫恒溫測試冷熱源
射流式高低溫沖擊測試機
快速溫變控溫卡盤
數(shù)據(jù)中心液冷解決方案
| 型號 | FLT-002 | FLT-003 | FLT-004 | FLT-006 | FLT-008 | FLT-010 | FLT-015 |
| FLT-002W | FLT-003W | FLT-004W | FLT-006W | FLT-008W | FLT-010W | FLT-015W | |
| 溫度范圍 | 5℃～40℃ | ||||||
| 控溫精度 | ±0.1℃ | ||||||
| 流量控制 | 10～25L/min 5bar max | 15～45L/min 6bar max | 25～75L/min 6bar max | ||||
| 制冷量at10℃ | 6kw | 8kw | 10kw | 15 kw | 20kw | 25kw | 40kw |
| 內循環(huán)液容積 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L | 12L | 20L |
| 膨脹罐容積 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L | 25L | 35L |
| 制冷劑 | R410A | ||||||
| 載冷劑 | 硅油,、氟化液,、乙二醇水溶液、DI等 （DI溫度需要控制10℃以上） | ||||||
| 進出接口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 |
| 冷卻水口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 | ZG1 | ZG1 1/8 |
| 冷卻水流量at20℃ | 1.5m3/h | 2m3/h | 2.5m3/h | 4m3/h | 4.5m3/h | 5.6m3/h | 9m3/h |
| 電源380V | 3.5kW | 4kW | 5.5kW | 7kW | 9.5kW | 12kW | 16kW |
| 溫度擴展 | 通過增加電加熱器,，擴展-25℃～80℃ | ||||||
Chillers半導體控溫裝置 模塊循環(huán)制冷機
Chillers半導體控溫裝置 模塊循環(huán)制冷機
集成電路晶圓制造Chiller在半導體制造工藝中作為一種制冷加熱動態(tài)控溫設備,，可以用在不同的工藝中,，以下是在半導體制造工藝中的應用：
1、氧化工藝：在氧化工藝中,，需要將硅片放入氧化爐中,，并在高溫下進行氧化反應,。集成電路晶圓制造Chiller可以控制氧化爐的溫度和氣氛,，以確保氧化反應的穩(wěn)定性和均勻性。
2,、退火工藝：在退火工藝中,，需要將硅片加熱到一定溫度，并保持一段時間,，以消除晶格中的應力并改善材料的性能,。集成電路晶圓制造Chiller可以控制退火爐的溫度和時間，以確保退火過程的穩(wěn)定性和可靠性,。
3,、刻蝕工藝：在刻蝕工藝中，需要將硅片暴露在化學試劑中,，以去除不需要的材料,。集成電路晶圓制造Chiller可以控制化學試劑的溫度和流量，以確?？涛g過程的穩(wěn)定性和精度,。
4、薄膜沉積工藝：在薄膜沉積工藝中,，需要將材料沉積在硅片上,，以形成所需的薄膜結構。集成電路晶圓制造Chiller可以控制沉積設備的溫度和氣氛,，以確保薄膜沉積的穩(wěn)定性和質量,。
5、離子注入工藝：在離子注入工藝中,，需要將離子注入到硅片中,，以改變材料的性質和結構。集成電路晶圓制造Chiller可以控制離子注入設備的溫度和電流,，以確保離子注入的穩(wěn)定性和精度,。
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